[发明专利]一种解决PERC电池EL黑斑黑点的方法在审
申请号: | 201811127741.0 | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN109326684A | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 刘露露 | 申请(专利权)人: | 苏州润阳光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 水膜 硅片 黑斑 黑点 有效解决 电池 喷淋 污染 水流量 太阳能电池 不良状况 喷水压力 压力减小 有效减少 针孔堵塞 装置压力 飞溅 缓解 单晶 覆盖 刻蚀 良率 省力 省时 皮带 铺盖 应用 制造 保证 维护 | ||
本发明属于太阳能电池制造领域,尤其涉及一种解决PERC电池EL黑斑黑点的方法,本发明方法中水膜喷淋针的孔径尺寸为0.8mm,水膜装置可以缓慢覆盖硅片,缓解了水膜覆盖硅片的喷水压力,铺盖硅片的压力减小,可以在保证水流量一致的前提下,有效减少了水膜四处喷溅而污染周围硅片的不良状况,能够有效解决PERC电池EL黑斑黑点问题,既能够缓解水膜装置压力,也能有效解决水膜喷淋针脱落,既不会出现长时间导致针孔堵塞问题,也不会造成水量不足导致的过刻,设备人员需要不定期的进行更换维护,省时省力,同时也解决了因为水膜功率过大,压力较大造成水膜飞溅而污染皮带和硅片,造成刻蚀污染的问题,提高了高效单晶的良率和效率,具有广阔的应用前景。
技术领域
本发明属于太阳能电池制造领域,尤其涉及一种解决PERC电池EL黑斑黑点的方法。
背景技术
2017年高效单晶电池争先恐后占据光伏电池片的主流市场,成为了太阳电池新一代常规技术,PERC电池通过在电池背面实行钝化技术,增强光线在硅基的内背反射,降低了背面复合,从而使PERC电池的效率能够有效提升,低成本高效率的PERC电池在量产优势显著情况下,同所有技术一样,新产品的问世,也伴随一些挑战和一些待解决的问题,高效单晶电池片成品的EL问题更为突出。EL是电致发光(英文electroluminescent)的简称,是通过加在两电极的电压产生电场,被电场激发的电子碰击发光中心,而引致电子解级的跃进、变化、复合导致发光的一种物理现象。
高效单晶电池片成品的EL问题比常规单晶的良率更加难以控制,所以PERC电池要比普通单晶对制成过程更为严格,例如超高的洁净度,严格的传输装置和工装夹具,都有严格的要求。电池片EL下的黑斑黑点,在背钝化工艺下,显示更为明显,电池片的黑斑缺陷区域含有高浓度的有害杂质,其中的S元素,金属Ca、Zn、Sr、和Co含量超表,这些杂质在晶硅电池中产生复合中心,降低扩散长度以及少子寿命,在EL下形成黑斑,所以提高生成过程中的洁净度和腐蚀清洗质量是减少黑斑的关键所在,而湿法是导致黑斑形成的主要工序,水膜的飞溅,落在上设备上料传送皮带上,导致皮带潮湿,硅片传输过程中,导致硅片污染形成硅片体内缺陷,最终形成EL黑斑,由于高效单晶太阳能高效电池酸抛光工艺是太阳能高效电池制造工艺中至关重要的一步,对成品电池片的EL良率以及电性能有着重大的影响,高效单晶电池占据光伏电池主流市场前提下,EL黑斑是刻蚀酸抛经常会出现的问题,酸抛要求高反射率和高减重,背面在浓酸条件下剧烈反应,极易造成刻蚀过刻,水膜在进刻蚀槽前的覆盖情况至关重要,这就对水膜要求较高,要保证足够的水流量,就需要设备有足够的压力,做成成品电池片后EL黑斑严重,降低了成品的合格率。
发明内容
本发明的目的是解决上述现有技术的不足,提供一种能够有效解决PERC电池EL黑斑黑点、提高产品合格率的方法。
本发明解决上述现有技术的不足所采用的技术方案是:
一种解决PERC电池EL黑斑黑点的方法,将PERC电池依次经过上料、水膜、酸抛、水洗、碱洗、水洗、酸洗、水洗、烘干、下料处理,其特征在于,所述水膜设有水膜喷淋针,所述水膜喷淋针的孔径尺寸为0.8mm。
优选的,本发明中所述水膜喷淋针为倒圆锥形。
本发明的有益效果是,由于本发明方法中水膜喷淋针的孔径尺寸为0.8mm,水膜装置可以缓慢覆盖硅片,缓解了水膜覆盖硅片的喷水压力,铺盖硅片的压力减小,可以在保证水流量一致的前提下,有效减少了水膜四处喷溅而污染周围硅片的不良状况,因而本发明方法能够有效解决PERC电池EL黑斑黑点问题,既能够缓解水膜装置压力,也能有效解决水膜喷淋针脱落,既不会出现长时间导致针孔堵塞问题,也不会造成水量不足导致的过刻,设备人员需要不定期的进行更换维护,省时省力,同时也解决了因为水膜功率过大,压力较大造成水膜飞溅而污染皮带和硅片,造成刻蚀污染的问题,也就解决了困扰企业的EL良率中最为重要的一个不良类型,提高了高效单晶的良率和效率,具有广阔的应用前景。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的