[发明专利]一种基于SiGe工艺的太赫兹全360°反射型移相器有效
| 申请号： | 201811128627.X | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110957993B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 马建国;李旭光;周绍华;赵升;杨自凯;杨闯;张蕾;李昭 | 申请（专利权）人： | 天津大学青岛海洋技术研究院 |
| 主分类号： | H03H11/16 | 分类号： | H03H11/16 |
| 代理公司： | 青岛致嘉知识产权代理事务所(普通合伙) 37236 | 代理人： | 张晓艳 |
| 地址： | 266200 山东省青岛市鳌*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sige 工艺 赫兹 360 反射 移相器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于SiGe工艺的太赫兹全360°反射型移相器，其特征在于：基于SiGe工艺，采用反射型移相器与0°/180°变相器结合的方式，实现太赫兹全360°移相器；具体结构为：单端输入信号经过巴伦T1转变为差分信号并输入0°/180°变相器；0°/180°变相器由跨导晶体管M1和M2、以及差分晶体管M3~M6组成；T1输出的差分信号输入跨导晶体管M1和M2的基极，经放大后由集电极输出进入差分晶体管M3~M6的发射极；VS作为差分晶体管的控制信号，配合反相器控制M3~M6的开关状态；M3~M6的集电极以交叉结构连接至变压器T2并输出至随后的3dB耦合器输入端；在这个过程中，VS作为控制信号，在处于高电平或低电平时将分别产生0°和180°两个状态；反射型移相器结构由3dB耦合器和负载π型网络两部分；3dB耦合器的隔离端和直通端分别连接由C1、C2、L1和C3、C4、L2组成的π型负载网络；其中C1~C4为可变电容，通过电压控制其容值实现负载网络的阻抗变化，实现反射型移相器的相位变化；最终，3dB耦合器隔离端为整个电路的输出。
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