[发明专利]一种基于SiGe工艺的太赫兹全360°反射型移相器有效
申请号: | 201811128627.X | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN110957993B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 马建国;李旭光;周绍华;赵升;杨自凯;杨闯;张蕾;李昭 | 申请(专利权)人: | 天津大学青岛海洋技术研究院 |
主分类号: | H03H11/16 | 分类号: | H03H11/16 |
代理公司: | 青岛致嘉知识产权代理事务所(普通合伙) 37236 | 代理人: | 张晓艳 |
地址: | 266200 山东省青岛市鳌*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 sige 工艺 赫兹 360 反射 移相器 | ||
1.一种基于SiGe工艺的太赫兹全360°反射型移相器,其特征在于:基于SiGe工艺,采用反射型移相器与0°/180°变相器结合的方式,实现太赫兹全360°移相器;具体结构为:单端输入信号经过巴伦T1转变为差分信号并输入0°/180°变相器;0°/180°变相器由跨导晶体管M1和M2、以及差分晶体管M3~M6组成;T1输出的差分信号输入跨导晶体管M1和M2的基极,经放大后由集电极输出进入差分晶体管M3~M6的发射极;VS作为差分晶体管的控制信号,配合反相器控制M3~M6的开关状态;M3~M6的集电极以交叉结构连接至变压器T2并输出至随后的3dB耦合器输入端;在这个过程中,VS作为控制信号,在处于高电平或低电平时将分别产生0°和180°两个状态;反射型移相器结构由3dB耦合器和负载π型网络两部分;3dB耦合器的隔离端和直通端分别连接由C1、C2、L1和C3、C4、L2组成的π型负载网络;其中C1~C4为可变电容,通过电压控制其容值实现负载网络的阻抗变化,实现反射型移相器的相位变化;最终,3dB耦合器隔离端为整个电路的输出。
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