[发明专利]校正半导体光刻的光掩模的临界尺寸均匀性的方法

权利要求书

1.校正半导体光刻的光掩模(2)的临界尺寸均匀性(CDU)的方法，包括以下步骤：

-通过扫描仪等同的CDU测量来确定将要校正的CDU，

-确定转换系数作为校准参数，

-通过写入像素场(5)校正所述光掩模(2)，

-验证因此校正的光掩模(2)，

其特征在于，

转换系数用于验证所述校正的光掩模(2)，所述转换系数从预先测量的像素场(5)的散射函数获得，

所述转换系数通过在掩模度量装置的相应可应用的积分极限和扫描仪的相应可应用的积分极限内积分所述散射函数，以及采取从积分的相应结果形成商来确定。

2.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于，

因此校正的光掩模(2)通过所述转换系数和由所述光掩模(2)的规律结构引起的衍射图案的评估来验证。

3.根据权利要求2所述的方法，

其特征在于，

所述评估包括衍射极大值的绝对强度在写入所述像素场(5)前后的比较。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，

其特征在于，

在确定所述转换系数时，考虑掩模度量装置和扫描仪的不同照明方案。