[发明专利]半导体器件及定位标记的制备方法在审
| 申请号： | 201811129229.X | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109449139A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 田红林;田亮;钮应喜;焦倩倩;杨霏 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山东省电力公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 成珊 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 定位标记区域 半导体层 半导体器件 定位标记 制备 半导体层表面 定位准确性 反射率差别 掺杂离子 金属离子 离子掺杂 边界处 金属层 散射 与非 沉淀 离子 对准 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体层；
定位标记区域，形成在所述半导体层内；其中，所述定位标记区域是通过向所述半导体层内注入掺杂离子得到的；所述定位标记区域内的离子掺杂浓度为1×1015～1×1019cm-3。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述定位标记区域的上表面与所述半导体层的上表面平齐。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述定位标记区域的上表面与所述半导体层的上表面相隔预设距离。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂离子的注入深度为0～3μm。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层的电阻率为0.001～0.1Ω·cm。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层包括：
衬底；
外延层，形成在所述衬底的表面上；其中，所述定位标记区域形成在所述外延层内。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层的厚度为200～700μm；所述外延层的厚度为0～300μm。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂离子为铝离子、硼离子、碳离子或氮离子中的一种。
9.一种定位标记的制备方法，其特征在于，包括：
提供一半导体层；
以1×1011～1×1015cm-3的注入剂量向所述半导体层内注入掺杂离子，以形成定位标记区域。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述掺杂离子的注入能量为5～100keV，注入温度为23～600℃。
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