[发明专利]屏蔽栅极式金氧半场效应晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种屏蔽栅极式金氧半场效应晶体管的制造方法，其特征在于包含下列步骤：

形成具有沟渠的半导体衬底；

以氧化方式形成牺牲氧化层于所述沟渠内，所述牺牲氧化层至少覆盖所述沟渠的侧壁；

形成源极多晶硅区于所述沟渠内；

以氧化方式形成绝缘氧化层在所述源极多晶硅区上方，使得所述源极多晶硅区完全为所述牺牲氧化层及所述绝缘氧化层所包覆；

以多晶硅沉积填入所述沟渠并进行回蚀刻以控制所述源极多晶硅区上方的所述绝缘氧化层的厚度；

以氧化方式形成栅极氧化层于所述沟渠内，所述栅极氧化层至少覆盖所述沟渠的侧壁；

形成栅极多晶硅区于所述沟渠内；以及

以离子布植形成围绕所述沟渠的基体层及重掺杂区。

2.如权利要求1所述的屏蔽栅极式金氧半场效应晶体管的制造方法，还包含下列步骤：形成所述栅极氧化层之前以多晶硅沉积填入所述沟渠并进行回蚀刻，形成缓冲多晶硅区以控制所述源极多晶硅区上方的所述绝缘氧化层的厚度。

3.如权利要求2所述的屏蔽栅极式金氧半场效应晶体管的制造方法，还包含下列步骤：以氧化方式形成所述栅极氧化层时，将所述缓冲多晶硅区全部氧化形成所述栅极氧化层的一部分以控制所述源极多晶硅区上方的所述绝缘氧化层及所述栅极氧化层的厚度。

4.如权利要求1所述的屏蔽栅极式金氧半场效应晶体管的制造方法，还包含下列步骤：

提供所述半导体衬底；

于所述半导体衬底上方沉积硬掩模层；

于所述半导体衬底及所述硬掩模层进行沟渠图形布建；以及

进行干蚀刻，形成所述沟渠。

5.如权利要求1所述的屏蔽栅极式金氧半场效应晶体管的制造方法，还包含下列步骤：

将多晶硅沉积电性连接至源极，将所述沟渠中下层的多晶硅区置换电极形成所述源极多晶硅区。

6.如权利要求1所述的屏蔽栅极式金氧半场效应晶体管的制造方法，还包含下列步骤：

以离子布植方式形成井区及重掺杂区；

在所述栅极多晶硅区上方形成内层介电层及硼磷硅玻璃；以及

进行接触蚀刻、植入接触区及形成金属层与金属掩模层。