[发明专利]一种具有铆钉结构的石墨烯透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯透明导电薄膜，其特征在于，包含不超过10层的石墨烯层，每层石墨烯层包括多片不连续的石墨烯片、每两层石墨烯层之间有一层铆钉结构的透明导电纳米材料层，将不连续的石墨烯片连接起来，所述透明导电纳米材料为金属氧化物、金属纳米线或纳米碳材料，所述石墨烯透明导电薄膜包含以下制备过程：

(1)在基底上引入氧化石墨烯层；

(2)在氧化石墨烯层上引入透明导电纳米材料层；

(3)在透明导电纳米材料层上引入氧化石墨烯层；

(4)将氧化石墨烯还原；

其中，所述纳米碳材料为石墨烯纳米带。

2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述石墨烯层为1-5层。

3.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述金属氧化物选自ITO、ATO、SnO2、ZnO、AZO、CdO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4、ZnSnO4和In2O3-ZnO中的一种或多种的组合，厚度为5-100nm。

4.根据权利要求1所述的导电薄膜,其特征在于，方法中所述引入氧化石墨烯层，其方法选自浸泡、印刷、辊压涂覆、刮涂、线棒涂布、喷涂、旋涂和提拉中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，方法中所述引入透明导电纳米材料层，其方法选自浸泡、印刷、辊压涂覆、刮涂、线棒涂布、喷涂、旋涂、提拉、化学气相沉积、物理气相沉积、蒸发镀膜和溅射镀膜中的一种或两种以上。

6.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，方法中所述氧化石墨烯还原，其方法选自热还原法、微波还原法、等离子体还原法、还原性气体还原法、光催化还原法、还原性酸还原法和酚还原法的一种或几种。