[发明专利]带有多个加热区的基板支撑件

说明书

本文提供基板支撑件的实施方式。在某些实施方式中，基板支撑件可包括具有支撑表面的主体；及第一加热器，第一加热器设置于主体内且具有第一加热线圈与多个加热区，其中第一加热线圈的绕组间距在多个加热区之间变化，以界定多个加热区之间的预定加热比率。

本申请是申请日为2015年10月22日、申请号为201580068865.4、发明名称为“带有多个加热区的基板支撑件”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本公开内容的实施方式一般涉及半导体处理设备。

背景技术

发明人观察到，化学气相沉积(CVD)与原子层沉积(ALD)腔室中的许多传统基板支撑加热器在高温(例如大于约350℃)操作时，由于在基板支撑件与支撑轴的底部与侧表面处的辐射而表现出高的热损失。发明人进一步观察到，该热损失导致设置于基板支撑件上的基板的非均匀性处理。

因此，发明人提供了具有更均匀加热的基板支撑件的实施方式。

发明内容

本文提供基板支撑件的实施方式。在某些实施方式中，基板支撑件可包括具有支撑表面的主体；及第一加热器，第一加热器设置于主体内且具有第一加热线圈与多个加热区，其中第一加热线圈的绕组间距(pitch of winding)在多个加热区之间变化，以界定多个加热区之间的预定加热比率。

在某些实施方式中，处理腔室可包括腔室主体，腔室主体界定内部空间；及设置于内部空间中的基板支撑件。基板支撑件可包含具有支撑表面的主体；及第一加热器，第一加热器设置于主体内且具有第一加热线圈与多个加热区，其中第一加热线圈的绕组间距在多个加热区之间变化，以界定多个加热区之间的预定加热比率。

在某些实施方式中，基板支撑件可包括具有支撑表面的主体；第一加热器，第一加热器设置于主体内且具有第一加热线圈与多个加热区，其中第一加热线圈的绕组间距在多个加热区之间变化，以界定多个加热区之间的预定加热比率，且其中多个加热区包括第一加热区、第二加热区与第三加热区；及第二加热器，第二加热器具有第二加热线圈，其中第二加热器设置在待处理的基板的直径之外。

本公开内容的其他与进一步实施方式将描述于下。

附图说明

本公开内容的实施方式已简要概述于前，并在以下有更详尽的讨论，可以通过参考所附附图中绘示的本公开内容的说明性实施方式以作了解。然而，所附附图只绘示了本公开内容的典型实施方式，因此并不应视为第本发明保护范围的限制，因为本公开内容可允许其他等效的实施方式。

图1绘示适合和根据本公开内容的某些实施方式的基板支撑件一起使用的处理腔室的概要示意图。

图2根据本公开内容的某些实施方式绘示基板支撑件的局部的概要俯视图。

图3根据本公开内容的某些实施方式绘示基板支撑件的局部的背侧示意图。

图4根据本公开内容的某些实施方式绘示基板支撑件的俯视图。

图5根据本公开内容的某些实施方式绘示基板支撑件的横截面视图。

图6根据本公开内容的某些实施方式绘示基板支撑件的局部的横截面侧视图。

为便于理解，在可能的情况下，使用相同的数字编号代表附图中相同的元件。这些图示未依比例绘示，且可为求清楚而被简化。一个实施方式中的元件与特征可有利地并入其它实施方式中而无需赘述。

具体实施方式