[发明专利]制造3D存储器件的方法

权利要求书

1.一种制造3D存储器件的方法，包括：

在衬底上方形成原绝缘叠层结构，所述原绝缘叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层和多个层间绝缘层；

形成贯穿所述原绝缘叠层结构的多个沟道柱；

在所述原绝缘叠层结构中形成隔离层，所述隔离层贯穿所述原绝缘叠层结构且呈环状，使得被所述隔离层环绕的所述原绝缘叠层结构构成绝缘叠层结构；

采用栅极导体置换所述隔离层外侧的原绝缘叠层结构中的牺牲层以形成栅叠层结构；以及

形成贯穿所述绝缘叠层结构的导电通道，所述导电通道包括多个导电柱组成的阵列，

其中，所述隔离层的外侧壁为平滑曲面，所述隔离层为封闭环状且位于所述栅极导体的中间区域，所述栅极导体电连接至字线。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述隔离层在垂直于堆叠方向上的横截面为包括选自圆环、椭圆环和跑道环中的任一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述隔离层的材料包括绝缘物质。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述隔离层沿周向方向具有均匀厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，采用栅极导体置换所述隔离层外层的原绝缘叠层结构中的牺牲层以形成栅叠层结构包括：

通过蚀刻去除所述原绝缘叠层结构中的牺牲层以形成空腔；以及

采用所述隔离层作为沉积阻挡层，沉积金属层填充所述空腔以形成所述栅极导体。

6.根据权利要求1所述的方法，所述栅叠层结构包括核心区和包围所述核心区的台阶区，

所述方法还包括：形成邻近所述隔离层的至少一部分外侧壁的多个假沟道柱，所述假沟道柱穿过所述栅叠层结构的核心区。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述多个假沟道柱中的至少一些假沟道柱与所述隔离层之间的距离比所述至少一些假沟道柱与所述沟道柱之间的距离更小。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述栅叠层结构中的多个所述金属层与所述绝缘叠层结构中的多个所述牺牲层一一对应，每个所述金属层与对应的所述牺牲层位于同一层。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述衬底中形成CMOS电路，

其中，所述导电通道从所述衬底向上延伸，贯穿所述绝缘叠层结构到达顶部表面，所述导电通道提供所述CMOS电路与外部电路之间的电连接。