[发明专利]一种半导体存储器

权利要求书

1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：

半导体衬底，以及位于所述半导体衬底中的：

至少一个栅沟槽；

分别位于所述栅沟槽两侧的自上而下的n型漏区、p型基区和n型源区；

位于所述栅沟槽的下部的控制栅；

位于所述栅沟槽的上部且位于所述控制栅之上的编程栅；

位于所述栅沟槽的上部且分别位于所述编程栅的两侧的两个浮栅；

所述浮栅、所述控制栅、所述编程栅和所述半导体衬底之间由绝缘介质层隔离；

所述半导体存储器，还包括位于所述p型基区与所述n型源区之间的p型掺杂区，所述p型掺杂区与所述n型源区形成pn结结构。

2.如权利要求1所述的一种半导体存储器，其特征在于，所述控制栅向上延伸至所述栅沟槽的上部。

3.如权利要求1所述的一种半导体存储器，其特征在于，所述栅沟槽的上部的宽度大于所述栅沟槽的下部的宽度。

4.如权利要求3所述的一种半导体存储器，其特征在于，所述两个浮栅结构分别位于所述栅沟槽的上部的两侧且介于所述栅沟槽的下部的侧壁与上部的侧壁之间的宽度位置处。

5.如权利要求1所述的一种半导体存储器，其特征在于，所述p型基区与所述n型源区均接源极电压。

6.如权利要求5所述的一种半导体存储器，其特征在于，还包括源极金属层，所述源极金属层嵌入至所述p型基区内，所述源极金属层将所述p型基区和所述n型源区引出接源极电压。

7.如权利要求1所述的一种半导体存储器，其特征在于，所述n型源区向下延伸至所述栅沟槽的下方。