[发明专利]一种SiC MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法有效

专利信息
申请号: 201811130588.7 申请日: 2018-09-27
公开(公告)号: CN109067230B 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 李辉;钟懿;黄樟坚;廖兴林;刘晓宇;姚然;郑媚媚;王坤;何蓓;全瑞坤 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: H02M7/5387 分类号: H02M7/5387;H02M1/38
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 赵荣之
地址: 400044 重*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 sic mosfet 逆变器 在线 自适应 死区 消除 方法
【权利要求书】:

1.一种SiC MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法,其特征在于:该方法通过在线实时计算电流纹波判断电流所处区域,进行死区消除,具体包含如下步骤:

S1:在线检测三相逆变器输出电压、电流以及直流母线电压;

S2:判断三相逆变器中桥臂电流的方向并确定桥臂电流的过零区域;具体包含如下步骤:

S21:判断桥臂电流的方向,设定电流流出桥臂为正,流入桥臂为负;

S22:根据直流母线电压、三相逆变器输出电压、输出滤波电感、PWM开关频率及调制信号实时在线计算正向电流纹波和负向电流纹波,满足:

式中,ΔiL+表示正向电流纹波,ΔiL–表示负向电流纹波,UDC表示直流母线电压,uout表示三相逆变器输出电压,L表示输出滤波电感,fs表示PWM开关频率,ur表示调制信号;

S23:根据电流方向和电流纹波导出负载电流过零区域判断准则,满足:

其中,iL表示负载电流;

S3:在桥臂电流非过零区域消除死区,并在桥臂电流过零区域恢复死区;具体为:

S31:根据所检测负载电流iL的平均值判断电流过零区域宽度;

S32:在桥臂电流过零区域消除死区:在非过零死区,仅开通同一桥臂的一个开关管,而另一个开关管保持关闭状态;桥臂电流非过零区域恢复死区:在过零死区,恢复上下桥臂的两个开关管互补导通模式。

2.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法,其特征在于:步骤S1具体包含如下步骤:

S11:设定控制器的模数转化器采样频率,对电压电流信号进行采样并转换为数字信号输入控制器;

S12:控制器对输入的采样信号进行数模转换,将数据转换为具有物理含义的采样信号;

S13:利用数字一阶低通滤波算法对采样信号进行滤波处理,消除采样信号中的高频噪声信号。

3.根据权利要求2所述的一种SiC MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法,其特征在于:所述控制器为DSP28335控制器;设定控制器的模数转化器ADC采样频率为12MHz,将电压、电流信号线性调理到–3.3V~+3.3V后进行采样。

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