[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201811130634.3 | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN109285843B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 奚鹏博;林振祺 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;G09F9/33 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
一种显示装置包括基板、第一像素电路、第二像素电路、第三像素电路、保护层、第一导电结构、第二导电结构、第三导电结构、多个第一发光二极管、多个第二发光二极管以及多个第三发光二极管。第一像素电路、第二像素电路以及第三像素电路位于基板上。第二像素电路位于第一像素电路与第三像素电路之间。保护层覆盖第一像素电路、第二像素电路以及第三像素电路。第一导电结构通过保护层的第一开孔而电性连接至第一像素电路。多个第一发光二极管重叠于第一像素电路以及第二像素电路,且电性连接至第一导电结构。
技术领域
本发明涉及一种显示装置,且特别涉及一种包括三个发光二极管电性连接至四个导电结构的显示装置。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode;LED)为一种发光元件,因其具低功耗、高亮度、高分辨率及高色彩饱和度等特性,因而适用于构建发光二极管显示面板的像素结构。
将发光二极管搬运到具有像素电路的驱动背板上的技术称为巨量转移(MassTransfer)。然而,现有技术在转移发光二极管时,为了配合像素电路的配置,通常需要转动部分的发光二极管,这容易产生发光二极管转置错误的问题,严重地影响显示装置的显示品质。因此,目前亟需一种能解决上述问题的方案。
发明内容
本发明提供一种显示装置,能改善发光二极管利用巨量转移技术转置时造成的转置错误的问题。
本发明的至少一实施例提供一种显示装置,包括基板、第一像素电路、第二像素电路、第三像素电路、保护层、第一导电结构、第二导电结构、第三导电结构、多个第一发光二极管、多个第二发光二极管以及多个第三发光二极管。第一像素电路、第二像素电路以及第三像素电路位于基板上。第二像素电路位于第一像素电路与第三像素电路之间。保护层覆盖第一像素电路、第二像素电路以及第三像素电路。第一导电结构通过保护层的第一开孔而电性连接至第一像素电路。第二导电结构通过保护层的第二开孔而电性连接至第二像素电路。第三导电结构通过保护层的第三开孔而电性连接至第三像素电路。多个第一发光二极管重叠于第一像素电路以及第二像素电路,且电性连接至第一导电结构。多个第二发光二极管重叠于第一像素电路以及第二像素电路,且电性连接至第二导电结构。多个第三发光二极管重叠于第三像素电路,且电性连接至第三导电结构。
本发明的目的之一为改善发光二极管利用巨量转移技术转置时造成的转置错误的问题。
本发明的目的之一为降低显示装置中的阻抗。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合说明书附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1F是依照本发明一实施例的一种显示装置的部分元件的俯视图。
图2A是根据图1C的剖面线A-A’示出的显示装置的部分元件的剖面示意图。
图2B是根据图1E的剖面线B-B’示出的显示装置的剖面示意图。
图2C是依照本发明一实施例的一种像素电路的电路示意图。
图3是本发明另一实施例的一种显示装置的俯视图。
图4是根据图3的剖面线C-C’示出的显示装置的部分元件的剖面示意图。
图5是本发明另一实施例的一种显示装置的俯视图。
图6是本发明另一实施例的一种显示装置的俯视图。
附图标记说明:
10、20、30、40:显示装置
110:基板
120:元件
122、124:电极
130:保护层
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的