[发明专利]一种伪负阻型低残压TVS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811130910.6 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109300994B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 单少杰;苏海伟;魏峰;王帅;张英鹏;蒋立柱 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 伪负阻型低残压 tvs 器件 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种伪负阻型低残压TVS器件的制备方法，其特征在于，包括采用薄片负阻工艺与辐照改性工艺，包括如下工艺步骤：
选P型衬底，进行减薄工艺，减薄到指定厚度30μm到250μm之间；
制结工艺，形成NPN结构；
所述的辐照改性工艺中使用剂量为0.001KGy到1KKGy之间；
表面金属制备，形成欧姆接触；
所述TVS器件为功能性结构掺杂为NPN型，可双向浪涌防护的器件；
伪负阻型低残压TVS器件，采用深结工艺来形成负阻效应结构；之后使用辐照改性，通过一定剂量的辐照引入复合中心。
2.如权利要求1所述的伪负阻型低残压TVS器件的制备方法，其特征在于，所述的辐照改性工艺包括电子辐照、核辐照，以降低半导体器件少子寿命的辐照工艺。
3.一种伪负阻型低残压TVS器件，其特征在于，根据权利要求1-2任意一项所述方法制备。
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