[发明专利]低压扩散炉低压扩散工艺

权利要求书

1.一种低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：将已制绒的待处理硅片匀速推入低压扩散炉，在持续通入大氮的同时将低压扩散炉内的第一至第五温度区域升温至第一预定温度；

步骤S2：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空；

步骤S3：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入大氮；

步骤S4：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空；

步骤S5：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入氧气和大氮；

步骤S6：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入氧气、大氮和小氮；

步骤S7：将低压扩散炉的第一至第五温度区域升温至第二预定温度的同时持续通入氧气、大氮和小氮；

步骤S8：维持第一至第五温度区域在第二预定温度的同时持续通入大氮；

步骤S9：将低压扩散炉的第一至第五温度区域降温至第三预定温度的同时持续通入氧气和大氮；

步骤S10：将低压扩散炉的第一至第五温度区域升温至第四预定温度的同时持续通入大氮；

步骤S11：将低压扩散炉的第一至第五温度区域降温至第三预定温度的同时持续通入大氮，同时将待处理硅片匀速推出低压扩散炉；

上述第一预定温度为：第一至第五温度区域依次是815℃、800℃、800℃、800℃、800℃；

上述第二预定温度为：第一至第五温度区域依次是915℃、868℃、908℃、908℃、849℃。

2.根据权利要求1所述的低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于：

上述第三预定温度为：第一至第五温度区域依次是790℃、790℃、790℃、790℃、790℃；

上述第四预定温度为：第一至第五温度区域依次是800℃、800℃、800℃、800℃、800℃。

3.根据权利要求1或者2中任一权利要求所述的低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于：

步骤S1中，持续通入大氮的流量为5000sscm；

步骤S3中，持续通入大氮的流量为2000sscm；

步骤S5中，持续通入氧气的流量为500sscm，持续通入大氮的流量为1400sscm；

步骤S6中，持续通入氧气的流量为300sscm，持续通入大氮的流量为1400sscm，持续通入小氮的流量为120sscm；

步骤S7中，持续通入氧气的流量为300sscm，持续通入大氮的流量为1400sscm，持续通入小氮的流量为120sscm；

步骤S8中，持续通入大氮的流量为1400sscm；

步骤S10中，持续通入大氮的流量为19000sscm；

步骤S11中，持续通入大氮的流量为6000sscm。

4.根据权利要求1或者2中任一权利要求所述的低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于：

步骤S1中，持续通入大氮的时间为940s；

步骤S2中，抽取真空的时间为400s；

步骤S3中，持续通入大氮的时间为400s；

步骤S4中，抽取真空的时间为100s；

步骤S5中，持续通入氧气和大氮的时间为100s；

步骤S7中持续通入氧气、大氮和小氮的时间为300s；

步骤S8中，持续通入大氮的时间为600s；

步骤S10中，持续通入大氮的时间为250s；

步骤S11中，持续通入大氮的时间为940s。

5.根据权利要求1或者2中任一权利要求所述的低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于：

步骤S1中，炉内压强为1030mbar；

步骤S2中，炉内压强为120mbar；

步骤S3中，炉内压强为120mbar；

步骤S4中，炉内压强为120mbar；

步骤S5中，炉内压强为120mbar；

步骤S6中，炉内压强为120mbar；

步骤S7中，炉内压强为120mbar；

步骤S8中，炉内压强为120mbar；

步骤S10中，炉内压强为1030mbar；

步骤S11中，炉内压强为1030mbar。