[发明专利]贯通电极基板及利用贯通电极基板的半导体装置有效
| 申请号： | 201811131924.X | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109616458B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 仓持悟;小岩进雄;吉冈英范 | 申请（专利权）人： | 大日本印刷株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/13;H01L23/15;H01L23/48;H01L23/498;H10B80/00;H01L21/60;H05K1/11;H05K3/28;H05K3/44 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 贯通 电极 利用 半导体 装置 | ||
1.一种贯通电极基板，具有：
基板，具有将第一面的第一开口和第二面的第二开口贯通的贯通孔；以及
导电层，配置于上述贯通孔的内部，
上述第二开口大于上述第一开口，
在上述第一开口与上述第二开口之间具有在俯视时面积最小的最小开口部，
在上述最小开口部与上述第二开口之间具有在俯视时面积大于上述最小开口部的第三开口部，
在上述最小开口部与上述第三开口部之间，剖视时上述贯通孔的侧壁的至少一部分包括具有变曲点的曲线，
上述变曲点配置为与上述贯通孔的中心相比更靠上述第二开口。
2.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其中，从上述第一开口到上述第二开口为止的上述贯通孔的剖视时的形状、上述第一开口中的上述贯通孔的侧壁与上述第一面之间的连接部分的剖视时的形状、以及上述第二开口中的上述侧壁与上述第二面之间的连接部分的剖视时的形状是连续的曲线。
3.根据权利要求1或2所述的贯通电极基板，其中，在上述导电层的内侧设置有间隙。
4.根据权利要求1或2所述的贯通电极基板，其中，还具有在上述导电层的内侧配置的绝缘性的填充物。
5.根据权利要求1或2所述的贯通电极基板，其中，上述导电层填充所述贯通孔的内部。
6.根据权利要求1或2所述的贯通电极基板，其中，上述基板为绝缘性基板。
7.根据权利要求1或2所述的贯通电极基板，其中，上述基板为玻璃基板。
8.根据权利要求1或2所述的贯通电极基板，其中，还具有配置成与上述第二面侧的上述导电层相接触的气体释放部。
9.根据权利要求8所述的贯通电极基板，其中，在上述贯通孔中，在上述基板的上述第一面侧未设置有上述气体释放部。
10.根据权利要求4所述的贯通电极基板，其中，还具有配置成与上述第二面侧的上述填充物相接触的气体释放部。
11.根据权利要求10所述的贯通电极基板，其中，在上述贯通孔中，在上述基板的上述第一面侧未设置有上述气体释放部。
12.一种半导体装置，具有LSI基板、半导体芯片、以及权利要求1～11中的任一项所述的贯通电极基板。
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