[发明专利]摄像装置

说明书

目的是提供一种对于入射光的灵敏度更高的摄像装置。一种摄像装置，具备：半导体基板，具有第1面；微透镜，位于上述半导体基板的上述第1面的上方；以及至少一个光电变换部，位于上述半导体基板的上述第1面与上述微透镜之间，分别具有第1电极、比上述第1电极更靠近上述微透镜的第2电极、和位于上述第1电极与上述第2电极之间并将光变换为电荷的光电变换层；上述微透镜的焦点位于比上述至少一个光电变换部中的距上述半导体基板的上述第1面最近的第1光电变换部的上述光电变换层的最下面更靠下方。

技术领域

本公开涉及层叠型的摄像装置。

背景技术

固体摄像装置被广泛地用在数字静像照相机、数字摄像机等中。已知有CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等的MOS型图像传感器及CCD(ChargeCoupled Device)图像传感器。近年来，作为被搭载在带有照相机的便携电话或智能电话等的移动设备中的固体摄像装置，从耗电的观点等来说，较多使用电源电压较低的CMOS图像传感器。在专利文献1中，公开了一种具有微透镜的摄像装置。

专利文献1：日本特开平5－48980号公报

发明内容

本公开的目的是提供一种对于入射光的灵敏度较高、耐光性良好的摄像装置。

根据本公开的非限定性的例示性的实施方式，提供以下技术方案。

有关本公开的一技术方案的摄像装置具备：半导体基板，具有第1面；微透镜，位于上述半导体基板的上述第1面的上方；以及至少一个光电变换部，位于上述半导体基板的上述第1面与上述微透镜之间，分别具有第1电极、比上述第1电极更靠近上述微透镜的第2电极、和位于上述第1电极与上述第2电极之间并将光变换为电荷的光电变换层；上述微透镜的焦点位于比上述至少一个光电变换部中的距上述半导体基板的上述第1面最近的第1光电变换部的上述光电变换层的最下面更靠下方。

能够提供一种对于入射光的灵敏度较高、耐光性良好的摄像装置。

附图说明

图1是有关参考例的摄像装置的概略剖面图。

图2是有关实施方式的摄像装置的概略剖面图。

图3是对微透镜的高度及在对角方向上邻接的微透镜间的间隙进行说明的图。

图4是说明光学模拟的结果的图。

图5是表示微透镜的高度与归一化光集中度及归一化量子效率下降率的关系的曲线图。

图6是用来说明第1范围中的光集中度的图。

图7是表示关于微透镜的高度与归一化量子效率的关系的模拟结果的曲线图。

图8是表示关于微透镜的高度与归一化入射角特性的关系的模拟结果的曲线图。

图9是表示从半导体基板的上表面到焦点的距离与归一化光集中度及归一化量子效率下降率的关系的曲线图。

图10是表示关于从半导体基板的上表面到焦点的距离与归一化量子效率的关系的模拟结果的曲线图。

图11是表示关于从半导体基板的上表面到焦点的距离与归一化入射角特性的关系的模拟结果的曲线图。

图12是有关实施方式的变形例的摄像装置的概略剖面图。

图13是有关实施方式的另一变形例的摄像装置的概略剖面图。

具体实施方式

(达到本公开的认识)

在图像传感器中重视光灵敏度。为了提高光灵敏度，通常使用微透镜。