[发明专利]微粗糙电解铜箔及铜箔基板

说明书

本发明公开一种微粗糙电解铜箔及铜箔基板。微粗糙电解铜箔包括一微粗糙表面。微粗糙表面具有多个凸锋、多个V型凹槽以及多个微结晶簇。两个相邻的所述凸锋界定出一个V型凹槽。V型凹槽的平均深度小于1微米。微结晶簇位于所述凸锋顶部。微结晶簇的平均高度小于1.5微米。微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.06。微粗糙表面与基材之间有良好的接合力，且在高频下的介入损失有良好的表现，能够有效地抑制讯号损耗。

技术领域

本发明涉及一种铜箔，特别是涉及一种电解铜箔及具有此铜箔的铜箔基板。

背景技术

随着资讯和电子产业的发展，高频高速的讯号传输已成为现代电路设计与制造的一环。电子产品为了能符合高频高速的讯号传输需求，所采用的铜箔基板在高频下需要有良好的介入损失(insertion loss)表现，以防止高频讯号在传递时产生过度的损耗。铜箔基板的介入损失与其表面粗糙度有高度关联。当表面粗糙度降低时，介入损失有较佳的表现，反之则否。但是降低粗糙度的同时，也会导致铜箔与基材间的剥离强度下滑，影响到后端产品的良率。因此，如何将剥离强度维持在业界水准，并提供良好的介入损失表现，已成为本领域所欲解决的课题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种微粗糙电解铜箔。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种微粗糙电解铜箔。所述微粗糙电解铜箔包括一微粗糙表面。所述微粗糙表面具有多个凸锋、多个V型凹槽以及多个微结晶簇，两个相邻的所述凸锋界定出一个V型凹槽，所述V型凹槽的平均深度小于1微米，所述微结晶簇位于所述凸锋顶部，所述微结晶簇的平均高度小于1.5微米。所述微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.06。

优选地，每一个所述微结晶簇由多个微结晶堆迭构成，所述微结晶的平均直径小于0.5微米，每一个所述微结晶簇的平均高度小于1.3微米。

优选地，每一个所述微结晶簇沿其自身高度方向的所述微结晶平均堆迭数量是15个以下；所述微结晶簇的平均最大宽度小于5微米；部分的所述微结晶簇形成有分岔结构。

优选地，每一个所述微结晶簇由多个微结晶堆迭构成，所述微结晶的平均直径小于0.5微米，每一个所述微结晶簇的平均高度小于1.3微米。

优选地，所述微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.055。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种铜箔基板，其包括一基材以及一微粗糙电解铜箔。所述微粗糙电解铜箔包括一贴附在所述基材的微粗糙表面。所述微粗糙表面形成有多个凸锋、多个V型凹槽以及多个微结晶簇。两个相邻的所述凸锋界定出一个V型凹槽。所述V型凹槽的平均深度小于1微米。所述微结晶簇位于所述凸锋顶部。所述微结晶簇的平均高度小于1.5微米。所述铜箔基板于20GHz的介入损失介于0至-0.635db/in。所述微粗糙电解铜箔与所述基材间的剥离强度大于3lb/in。

优选地，所述铜箔基板于30GHz的介入损失介于0至-0.935db/in。

优选地，所述铜箔基板于8GHz的介入损失介于0至-0.31db/in，所述铜箔基板于12.89GHz的介入损失介于0至-0.43db/in，所述铜箔基板于16GHz的介入损失介于0至-0.53db/in；所述微粗糙电解铜箔与所述基材之间的剥离强度大于3.5lb/in。

优选地，所述铜箔基板于12.89GHz的介入损失介于0至-0.42db/in，所述铜箔基板于16GHz的介入损失介于0至-0.52db/in，所述铜箔基板于20GHz的介入损失介于0至-0.63db/in，所述铜箔基板于30GHz的介入损失介于0至-0.92db/in；所述微粗糙电解铜箔与所述基材之间的剥离强度大于3.9lb/in。