[发明专利]一种可调控形貌的金属纳米结构阵列及其制备方法和应用在审
申请号: | 201811132371.X | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN109321904A | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 金名亮;卢涵;水玲玲;周国富 | 申请(专利权)人: | 肇庆市华师大光电产业研究院 |
主分类号: | C23C18/42 | 分类号: | C23C18/42;C23C18/38;C23C18/32;B82Y40/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 任重 |
地址: | 526040 广东省肇庆市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 金属纳米结构阵列 制备 形貌 可调控 制备方法和应用 混合溶液中 金属盐 氢氟酸 表面等离子体共振 纳米结构阵列 马蹄形 电化学置换 单晶硅片 领域应用 纳米图形 形貌可控 制备工艺 单颗粒 金 银 传感 吹干 催化 洗涤 生物技术 金属 应用 | ||
1.一种可调控形貌的金属纳米结构阵列的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1:在单晶硅片上制备纳米图形阵列;
S2:置于氢氟酸和金属盐的混合溶液中于0~100 ℃下进行反应;洗涤,吹干即得到可调控形貌的金属纳米结构阵列;所述混合溶液中,氢氟酸的浓度为10-5~10 mol/L,金属盐的浓度为10-7~10 mol/L。
2.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,S1中制备纳米图形阵列的过程为:在单晶硅片上制备掩膜层,然后利用聚焦离子束光刻、电子束光刻或纳米球光刻制备纳米图形阵列。
3.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,S1中所述纳米图形阵列为二氧化硅纳米图形阵列、氮化硅纳米图形阵列、铬纳米图形阵列、金纳米图形阵列或银纳米图形阵列。
4.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,S1中所述纳米图形阵列的图形形状为圆形、扇形或多边形。
5.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,S1中所述纳米图形阵列的图形面积为1nm2~1 μm2,相邻图形之间的中心距为2~100 mm。
6.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,S2所述混合溶液中,氢氟酸的浓度为0.0025~1 mol/L,金属盐的浓度为10-6~0.3 mol/L。
7.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,S2中金属盐为硝酸银、四氯金酸、硫酸铜、硫酸钴、硫酸镍、氯铂酸或氯钯酸铵。
8.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,S2中反应的时间为1 s~30 min。
9.一种可调控形貌的金属纳米结构阵列,其特征在于,通过权利要求1~8任一所述制备方法制备得到。
10.权利要求9所述金属纳米结构阵列在表面等离子体共振、催化、生物技术或传感领域中的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于肇庆市华师大光电产业研究院,未经肇庆市华师大光电产业研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811132371.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理