[发明专利]阵列基板及制作方法、显示面板有效
| 申请号： | 201811132474.6 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109300945B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 刘威;李伟;韩影;张建业 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板，所述阵列基板包括阵列分布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素，每个所述子像素均包括至少一个金属层和发光层，其特征在于，至少一个所述子像素还包括：
反射阳极层，与所述至少一个金属层中的一个同层成型；且所述反射阳极层靠近所述发光层的一侧具有透明导电层，至少两个不同所述子像素的透明导电层厚度不同；
所述至少一个金属层包括：遮光金属层、栅极金属层、源漏金属层；
所述像素单元包括第一子像素；
所述第一子像素包括与所述遮光金属层同层成型的第一反射阳极层，所述第一反射阳极层靠近发光层一侧具有第一厚度的第一透明导电层；
所述像素单元包括第二子像素；
所述第二子像素包括与所述栅极金属层同层成型的第二反射阳极层，所述第二反射阳极层靠近发光层一侧具有第二厚度的第二透明导电层；
或，所述像素单元包括第一子像素；
所述第一子像素包括与所述遮光金属层同层成型的第一反射阳极层，所述第一反射阳极层靠近发光层一侧具有第一厚度的第一透明导电层；
所述像素单元包括第三子像素；
所述第三子像素包括与所述源漏金属层同层成型的第三反射阳极层，所述第三反射阳极层靠近发光层一侧具有第三厚度的第三透明导电层；
或，所述像素单元包括第二子像素；
所述第二子像素包括与所述栅极金属层同层成型的第二反射阳极层，所述第二反射阳极层靠近发光层一侧具有第二厚度的第二透明导电层；
所述像素单元包括第三子像素；
所述第三子像素包括与所述源漏金属层同层成型的第三反射阳极层，所述第三反射阳极层靠近发光层一侧具有第三厚度的第三透明导电层；
或，所述像素单元包括第一子像素；
所述第一子像素包括与所述遮光金属层同层成型的第一反射阳极层，所述第一反射阳极层靠近发光层一侧具有第一厚度的第一透明导电层；
所述像素单元包括第二子像素；
所述第二子像素包括与所述栅极金属层同层成型的第二反射阳极层，所述第二反射阳极层靠近发光层一侧具有第二厚度的第二透明导电层；
所述像素单元包括第三子像素；
所述第三子像素包括与所述源漏金属层同层成型的第三反射阳极层，所述第三反射阳极层靠近发光层一侧具有第三厚度的第三透明导电层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电层的厚度为120埃到820埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
