[发明专利]一种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法

权利要求书

1.一种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：

（1）清洗单晶硅基片；

（2）以高纯乙烯、硅烷混合气和高纯氮气为工作气体，高纯乙烯气体流量为60～100sccm，高纯氮气气体流量为10～15sccm，硅烷混合气气体流量为5～10sccm，采用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤（1）中的单晶硅基片表面生长氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜，其工艺参数是：射频功率密度为400～750 mW/cm^-2，射频频率为13.56MHz，基片温度为200～350℃，腔体压强为60～100Pa，镀膜时间为60～100分钟，即可得到氮硅双修饰石墨烯量子点。

2.权利要求1所述的氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜制备方法，其特征在于，所述的高纯乙烯的纯度大于99.995%；所述的高纯氮气的纯度大于99.999%；所述的硅烷混合气为采用氩气稀释到体积浓度为5-10%的硅烷。