[发明专利]闪存结构及对应的编程、擦除和读取方法有效
| 申请号： | 201811132953.8 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109346528B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/788;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 结构 对应 编程 擦除 读取 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种闪存结构的擦除方法，其特征在于，所述闪存结构包括基底，所述基底内布置有源极区、漏极区以及位于所述源极区和漏极区之间的沟道区，所述基底和沟道采用P型掺杂，所述源极区和漏极区采用N型掺杂；所述沟道区的基底上依次层叠有隧穿氧化层、电荷存储层、阻挡氧化层及控制栅层；
所述擦除方法包括：利用衬底偏压协助的沟道热电子注入方式，使电子注入至所述电荷存储层，即，在与所述控制栅层连接的控制栅线上施加正的第一擦除电压，且所述第一擦除电压大于所述闪存结构的阈值电压；在与所述源极区连接的源极线上施加第二擦除电压，且所述第二擦除电压为0；在与所述漏极区连接的漏极线上施加正的第三擦除电压，在所述基底上施加正的第四擦除电压，且所述第三擦除电压大于所述第四擦除电压；所述电荷存储层处于浮空状态。
2.如权利要求1所述的闪存结构的擦除方法，其特征在于，所述第一擦除电压为4V至6V，所述第三擦除电压为4V至5V，所述第四擦除电压为3V至4V。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811132953.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
