[发明专利]一种PMOS结构的形成方法有效
| 申请号： | 201811133099.7 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109103111B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘星;黄炜;徐静静;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pmos 结构 形成 方法 | ||
1.一种PMOS结构的形成方法，其特征在于，包括：
步骤S1，提供一N型衬底，所述N型衬底的上表面制备有堆叠的栅氧化层以及栅极结构；
步骤S2，采用一第一离子注入工艺对所述N型衬底暴露出的上表面进行轻掺杂，以在所述N型衬底中形成轻掺杂源漏极结构；
步骤S3，于所述栅极结构的侧壁形成侧墙结构；
步骤S4，采用一第二离子注入工艺对所述N型衬底暴露出的上表面进行重掺杂，以在所述N型衬底中形成重掺杂源漏极结构；
其中，所述第一离子注入工艺和所述第二离子注入工艺在所述N型衬底中形成了总含量为1*10^14/cm2~2*10^15/cm2的氟离子；所述步骤S2中，所述第一离子注入工艺注入的离子种类为二氟化硼离子和硼离子；
所述步骤S4中，所述第二离子注入工艺注入的离子种类为二氟化硼离子和氟离子。
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述第一离子注入工艺注入的所述二氟化硼离子的注入量为5*10^13/cm2~5*10^14/cm2；所述硼离子的注入量为0/cm2~5*10^14/cm2。
3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述第二离子注入工艺注入的所述二氟化硼离子的注入量为0/cm2~5*10^14/cm2；所述氟离子的注入量为5*10^13/cm2~1.0*10^15/cm2。
4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S1中，制备形成的所述栅氧化层的厚度为20Å ~80Å。
5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S1中，采用二氧化硅形成所述栅氧化层。
6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S1中，采用N型掺杂的硅衬底形成所述N型衬底。
7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S1中，采用多晶硅材料形成所述栅极结构。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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