[发明专利]天线结构及具有该天线结构的无线通信装置在审
申请号: | 201811133360.3 | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN109921176A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 李承翰;张钬荧 | 申请(专利权)人: | 深圳富泰宏精密工业有限公司;群迈通讯股份有限公司 |
主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/24;H01Q1/48;H01Q1/50 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 习冬梅;李艳霞 |
地址: | 518109 广东省深圳市龙华新区龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辐射 天线结构 边框 馈入 断槽 断点 电连接 开槽 无线通信装置 壳体 馈入电流 耦合电流 宽频 | ||
1.一种天线结构,其特征在于,所述天线结构包括壳体、第一馈入源及第二馈入源,所述壳体包括中框及边框,所述中框及边框均由金属材料制成,所述边框设置于所述中框的周缘,所述边框上开设有开槽、断点以及断槽,所述开槽开设于所述边框的内侧,所述断点及所述断槽开设于所述边框,且隔断所述边框,所述开槽、断点以及断槽共同自所述边框上划分出第一辐射部、第二辐射部及第三辐射部,所述第一辐射部通过所述开槽与所述中框间隔绝缘设置,所述第一馈入源电连接至所述第一辐射部,用以为所述第一辐射部馈入电流,所述第二馈入源电连接至所述第二辐射部或第三辐射部,未电连接至所述第二馈入源的所述第二辐射部或第三辐射部自所述第一辐射部耦合电流,所述边框的厚度大于等于两倍所述断点或所述断槽的宽度,且所述开槽的宽度小于等于二分之一倍所述断点或所述断槽的宽度。
2.如权利要求1所述的天线结构,其特征在于:所述边框至少包括末端部、第一侧部及第二侧部,所述第一侧部与所述第二侧部分别连接所述末端部的两端,所述断点开设于所述末端部靠近所述第一侧部的位置,所述断槽开设于所述末端部靠近所述第二侧部的位置,所述开槽开设于所述末端部的内侧,且分别朝所述第一侧部及第二侧部所在方向延伸,所述断点与所述断槽之间的边框构成所述第一辐射部,所述断点与所述开槽位于所述第一侧部的端点之间的所述边框形成所述第二辐射部,所述断槽与所述开槽位于所述第二侧部的端点之间的所述边框形成所述第三辐射部。
3.如权利要求2所述的天线结构,其特征在于:所述第一馈入源与所述断点之间的所述边框构成第一辐射段,所述第一馈入源与所述断槽之间的所述边框构成第二辐射段,所述第二馈入源电连接至所述第二辐射部,当电流自所述第一馈入源馈入后,所述电流流经所述第一辐射段,以激发一第一工作模态以产生第一辐射频段的辐射信号;当电流自所述第一馈入源馈入后,所述电流流经所述第二辐射段,并通过所述断槽耦合至所述第三辐射部,以激发一第二工作模态以产生第二辐射频段的辐射信号;当电流自所述第二馈入源馈入后,所述电流流经所述第二辐射部,以激发一第三工作模态以产生第三辐射频段的辐射信号,所述第一工作模态为LTE-A低频模态,所述第二工作模态为LTE-A中频模态,所述第三工作模态为LTE-A高频模态。
4.如权利要求3所述的天线结构,其特征在于:所述天线结构还包括两个延伸部,其中一个延伸部电连接至所述第二辐射段靠近所述断槽的端部,另外一个延伸部电连接至所述第三辐射部靠近所述断槽的端部,且两者彼此对称设置。
5.如权利要求2所述的天线结构,其特征在于:所述第二馈入源电连接至所述第三辐射部,当电流自所述第一馈入源馈入后,所述电流流经所述第一辐射部,以激发一第一工作模态以产生第一辐射频段的辐射信号;当电流自所述第一馈入源馈入后,所述电流流经所述第一辐射部,并通过所述断点耦合至所述第二辐射部,以激发一第二工作模态以产生第二辐射频段的辐射信号;当电流自所述第二馈入源馈入后,所述电流流经所述第三辐射部,以激发一第三工作模态以产生第三辐射频段的辐射信号,所述第一工作模态为LTE-A低频模态,所述第二工作模态为LTE-A中频模态,所述第三工作模态为LTE-A高频模态。
6.如权利要求5所述的天线结构,其特征在于:所述天线结构还包括两个延伸部,其中一个延伸部电连接至所述第一辐射部靠近所述断点的端部,另外一个延伸部电连接至所述第二辐射部靠近所述断点的端部,且两者彼此对称设置。
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