[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：

衬底基板，以及层叠设置在所述衬底基板上的有源层、绝缘层和导电层，所述有源层位于所述绝缘层靠近所述衬底基板的一侧，所述导电层位于所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧；

所述有源层包括半导体图案和导电图案；

所述绝缘层中设置有多个第一过孔，所述绝缘层为层间介电层，所述层间介电层中还设置有第二过孔和第三过孔；

所述导电层包括信号线和源漏极图案，所述信号线通过所述多个第一过孔与所述导电图案连接；

所述显示基板还包括：

设置在所述有源层靠近所述衬底基板的一侧的遮光层，所述半导体图案在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影内；

所述源漏极图案通过所述第二过孔与所述半导体图案连接，所述源漏极图案通过所述第三过孔与所述遮光层连接。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：

依次设置在所述有源层远离所述衬底基板的一侧的栅绝缘层和栅极图案；

所述层间介电层设置在所述栅极图案远离所述衬底基板的一侧；

所述导电层设置在所述层间介电层远离所述衬底基板的一侧。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述导电层还包括：栅极图案，所述绝缘层为栅绝缘层。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：层间介电层以及源漏极图案；

所述栅绝缘层设置在所述有源层远离所述衬底基板的一侧；

所述栅极图案设置在所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧；

所述层间介电层设置在所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧；

所述源漏极图案设置在所述层间介电层远离所述衬底基板的一侧。

5.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，

所述导电图案为条状图案，且所述导电图案的长度方向平行于所述信号线的延伸方向。

6.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，

所述半导体图案在所述衬底基板上的正投影，与所述导电图案在所述衬底基板上的正投影不重叠。

7.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：依次层叠设置在所述导电层远离所述衬底基板的一侧的钝化层、彩膜层、平坦层以及电极层。

8.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上形成有源层、绝缘层、导电层以及遮光层，所述有源层位于所述绝缘层靠近所述衬底基板的一侧，所述导电层位于所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述遮光层位于所述有源层靠近所述衬底基板的一侧；

所述有源层包括半导体图案和导电图案，所述半导体图案在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影内；

所述绝缘层中形成有多个第一过孔，所述绝缘层为层间介电层，所述层间介电层中还设置有第二过孔和第三过孔；

所述导电层包括信号线和源漏极图案，所述信号线通过所述多个第一过孔与所述导电图案连接；所述源漏极图案通过所述第二过孔与所述半导体图案连接，所述源漏极图案通过所述第三过孔与所述遮光层连接。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成有源层，包括：

在所述衬底基板上沉积半导体薄膜；

在所述半导体薄膜远离所述衬底基板的一侧涂覆光刻胶；

对所述光刻胶进行图形化处理，得到第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，所述第一光刻胶图案的厚度小于所述第二光刻胶图案的厚度；

以所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案为掩膜对所述半导体薄膜进行刻蚀；

去除所述第一光刻胶图案，并减薄所述第二光刻胶图案的厚度；

对刻蚀后的所述半导体薄膜中，未被所述第二光刻胶图案覆盖的部分进行导体化处理，得到导电图案；

去除所述第二光刻胶图案，得到半导体图案。