[发明专利]一种硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件及其制备方法

权利要求书

1.一种硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)采用化学气相沉积工艺制备连续硫化钼薄膜，具体包括以下步骤：

(11)在基底上旋涂光刻胶并通过光刻来得到光刻胶图形；

(12)采用镀膜工艺在所述基底上沉积一层钼源薄膜，所述钼源薄膜覆盖所述光刻胶图形；

(13)去除所述基底上的光刻胶及覆盖所述光刻胶的钼源薄膜以得到图形化钼源薄膜；

(14)将所述基底放入高温气氛炉内，并在所述图形化钼源薄膜的上方放置衬底，同时所述高温气氛炉逐渐升温，待所述高温气氛炉内的温度达到钼源升华温度后向所述高温气氛炉内通入硫源气体；接着，所述高温气氛炉进一步加热到预定温度后保温预定时间，并将制得的硫化钼薄膜自所述高温气氛炉内取出，以得到连续的硫化钼薄膜；

(2)采用等离子体将连续硫化钼薄膜刻蚀成多个硫化钼薄膜块以形成硫化钼薄膜方形阵列，并制备金属对准标记；

(3)将所述硫化钼薄膜方形阵列及所述金属对准标记同步转移至柔性基底表面上；

(4)采用光刻套刻与镀膜工艺在所述硫化钼薄膜的表面制备金属电极，并采用光刻套刻与分子自组装技术在所述硫化钼薄膜方形阵列的外侧形成疏水层；

(5)将钙钛矿溶液涂覆在所述硫化钼薄膜的表面以形成钙钛矿薄膜阵列，并进行封装以得到硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件。

2.如权利要求1所述的硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件的制备方法，其特征在于：所述硫化钼薄膜方形阵列为m行n列，其中m与n均为介于2～10之间的正整数。

3.如权利要求1所述的硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件的制备方法，其特征在于：所述光探测阵列器件形成有多个硫化钼钙钛矿异质结薄膜，所述硫化钼钙钛矿异质结薄膜与所述金属电极相连接。

4.如权利要求1所述的硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件的制备方法，其特征在于：所述柔性基底为PET基底、PEN基底及PDMS基底中的一种。

5.如权利要求1所述的硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件的制备方法，其特征在于：所述疏水层的材质为三氯十八烷基硅烷或者聚苯乙烯。

6.如权利要求1-5任一种所述的硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件的制备方法，其特征在于：钙钛矿的成分为MPbX₃，其中M是MA、FA及Cs中的一种或者几种；X是Cl、Br及I中的一种或者几种。

7.如权利要求1所述的硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件的制备方法，其特征在于：所述预定温度为780℃～850℃；所述预定时间为3min～20min；所述衬底与所述基底之间的间隔为0.1mm～2mm。

8.一种硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件，其特征在于：所述光探测阵列器件是采用权利要求1-7任一项所述的硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件的制备方法制备成的。