[发明专利]MOS器件的制造方法在审
| 申请号： | 201811134042.9 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109360785A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李秀莹;刘宇;王鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钝化层 衬底 漏区 源区 紫外光照射 漏极电极 源极电极 栅极结构 电极层 栅极电极结构 边缘保护 电极结构 剪切应力 结构接触 结构稳定 结构栅极 热稳定性 致密性好 热应力 位置处 电极 裂缝 制造 | ||
1.一种MOS器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供一衬底，所述衬底中形成有源区和漏区，且在所述衬底上相对于所述源区和所述漏区之间的位置处形成有栅极结构；
在所述衬底上形成电极层，引出所述源区、漏区及栅极结构的电极，得到相互独立的源极电极结构、漏极电极结构及栅极电极结构；以及
在所述电极层上形成钝化层并进行紫外光照射处理。
2.如权利要求1所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，所述衬底上还形成有边缘保护环，所述源极电极结构、漏极电极结构、栅极电极结构以及边缘保护环相互之间的距离小于等于设定值，使得其中一个结构被破坏时不会与相邻的结构接触。
3.如权利要求2所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，所述设定值的取值包括32微米至40微米。
4.如权利要求1所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成所述电极层之前，先在所述衬底上形成金属阻挡层。
5.如权利要求4所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，所述金属阻挡层为钛层和/或氮化钛层。
6.如权利要求1或4所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，采用多层金属互连技术在所述衬底上形成所述电极层。
7.如权利要求1所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，在形成所述电极层之后，在形成所述钝化层之前，所述MOS器件的制造方法还包括步骤：
在所述衬底上形成过渡层，所述过渡层覆盖所述电极层及所述衬底。
8.如权利要求1或7所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，所述过渡层包括二氧化硅薄膜，所述钝化层包括氮化硅薄膜。
9.如权利要求8所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅薄膜由正硅酸乙酯分解形成。
10.如权利要求1所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，在形成所述钝化层之后，所述MOS器件的制造方法还包括步骤：
刻蚀所述钝化层，漏出所述源极电极结构、漏极电极结构及栅极电极结构的顶部；
在所述源极电极结构、漏极电极结构及栅极电极结构的顶部形成金属焊盘。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
