[发明专利]相移器及硅基电光调制器

权利要求书

1.一种相移器，其特征在于，所述相移器包括：

第一掺杂类型半导体层；

第二掺杂类型半导体层，与所述第一掺杂类型半导体层间隔排布；

第一介质层，位于所述第一掺杂类型半导体与所述第二掺杂类型半导体层之间；

第二介质层，位于所述第一介质层与所述第二掺杂类型半导体层之间；

插入材料层，位于所述第一介质层与所述第二介质层之间，所述插入材料层在外部驱动电压的作用下产生负电容效应；

所述第一介质层与所述第二介质层均包括至少一层高K介质层。

2.根据权利要求1所述的相移器，其特征在于，所述第一掺杂类型半导体层包括第一掺杂类型的硅层；所述第二掺杂类型半导体层包括第二掺杂类型的硅层；所述第一介质层包括氧化硅层；所述第二介质层包括氧化硅层。

3.根据权利要求1或2所述的相移器，其特征在于，所述第一掺杂类型半导体层包括N型半导体层；所述第二掺杂类型半导体层包括P型半导体层。

4.根据权利要求1或2所述的相移器，其特征在于，所述第一掺杂类型半导体层包括P型半导体层；所述第二掺杂类型半导体层包括N型半导体层。

5.根据权利要求1所述的相移器，其特征在于，所述插入材料层包括采用原子层沉积工艺、磁控溅射工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺或金属有机物化学气相沉积工艺形成的材料层。

6.一种硅基电光调制器，其特征在于，所述硅基电光调制器包括：如权利要求1至5中任一项所述的相移器。

7.根据权利要求6所述的硅基电光调制器，其特征在于，所述硅基电光调制器包括两个所述相移器，所述硅基电光调制器还包括：

分束器，所述分束器包括一个输入端及两个输出端，所述分束器的两个输出端分别与两个所述相移器的一端一一对应连接；

合束器，所述合束器包括两个输入端及一个输出端；所述合束器的两个输入端分别与两个所述相移器远离所述分束器的一端一一对应连接。

8.根据权利要求7所述的硅基电光调制器，其特征在于，所述硅基电光调制器还包括：

输入光耦合器，所述输入光耦合器的输出端与所述分束器的输入端相连接；

输出光耦合器，所述输出光耦合器的输入端与所述合束器的输出端相连接。

9.根据权利要求8所述的硅基电光调制器，其特征在于，所述输入光耦合器包括水平端面耦合波导结构或垂直耦合光栅结构，所述输出光耦合器包括水平端面耦合波导结构或垂直耦合光栅结构。

10.根据权利要求7所述的硅基电光调制器，其特征在于，所述硅基电光调制器包括硅基马赫-曾德调制器。