[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
申请号: | 201811134615.8 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN109065563A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 龙海凤;李天慧;藤井光一;黄晓橹 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张小稳 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离部件 滤色器阵列 滤色器 图像传感器 衬底 感光单元阵列 折射率 相邻滤色器 感光单元 滤色器层 分隔 入射 平行 制造 隔离 配置 吸收 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括:
衬底,包括感光单元阵列;
在所述衬底之上的滤色器层,所述滤色器层包括滤色器阵列,其中所述滤色器阵列包括在所述感光单元阵列中的多个感光单元上方对应地设置的多个滤色器,所述滤色器层还包括在所述衬底之上的将所述滤色器阵列中的多个滤色器分隔开的滤色器隔离CFI结构;
在所述多个滤色器中的相邻滤色器之间,在平行于所述衬底的方向上,所述CFI结构包括两个或更多个第一隔离部件以及一个或多个第二隔离部件,其中所述一个或多个第二隔离部件中的每个第二隔离部件布置在所述两个或更多个第一隔离部件中的两个第一隔离部件之间;以及
其中所述两个或更多个第一隔离部件中的各第一隔离部件的折射率小于所述滤色器阵列中的各滤色器的折射率,并且所述一个或多个第二隔离部件中的各第二隔离部件被配置为能够吸收入射到其中的光。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述图像传感器还包括:
在所述滤色器层之上的微透镜阵列,所述微透镜阵列中的多个微透镜与所述感光单元阵列中的多个感光单元对应地设置。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述两个或更多个第一隔离部件中的各第一隔离部件被配置为改变入射到其表面的光的行进方向,以朝向相应的感光单元引导光且使光偏离其它感光单元。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述两个或更多个第一隔离部件由氧化硅形成。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述一个或多个第二隔离部件中的各第二隔离部件由光吸收层或防反射层形成。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,其特征在于,所述光吸收层由含有吸光掺质颗粒的聚合物材料、有色聚酰亚胺、黑铬、阳极化金属、干膜、陶瓷、有色粘合剂、玻璃、硅、光敏玻璃、半导体材料中的一种或多种来形成。
7.根据权利要求5所述的图像传感器,其特征在于,所述防反射层的在平行于所述衬底的方向上的宽度被配置为与所述防反射层的折射率和从相邻的滤色器入射到所述防反射层的光的波长有关,并且被配置为使得从所述防反射层的垂直于所述衬底的同一表面出射的光至少部分地抵消。
8.根据权利要求7所述的图像传感器,其特征在于,所述防反射层的在平行于所述衬底的方向上的宽度被配置为使得从所述防反射层的垂直于所述衬底的同一表面出射的光的相位差接近于180°或其奇数倍。
9.根据权利要求5所述的图像传感器,其特征在于,所述防反射层含有吸光掺质颗粒。
10.一种制造图像传感器的方法,其特征在于,所述方法包括:
提供衬底,其包括感光单元阵列;
在所述衬底之上形成第一层;
去除与所述感光单元阵列中的多个感光单元对应的所述第一层以形成多个第一开口,并保留所述多个第一开口中的第一开口之间的所述第一层以形成多个第一栅格;
在所述第一层上形成第一材料层,所述第一材料层至少覆盖所述多个第一开口中的每个第一开口的侧壁;
去除所述第一材料层的一部分并保留所述多个第一开口中的每个第一开口的侧壁上的第一材料层,从而形成多个第一隔离部件;
在侧壁被第一隔离部件覆盖的每个第一开口中形成滤色器,其中各滤色器的折射率大于与其邻接的各第一隔离部件的折射率;
去除所述多个第一栅格以形成多个第二开口;
在所述多个第二开口中的每个第二开口中形成第二隔离部件,其中各第二隔离部件被配置为能够吸收入射到其中的光;以及
其中在相邻滤色器之间,在平行于所述衬底的方向上,由两个第一隔离部件以及其间的第二隔离部件形成滤色器隔离CFI结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的