[发明专利]氧化石墨烯沉积源及利用其的氧化石墨烯薄膜形成方法有效
| 申请号： | 201811135951.4 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109573996B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 李晟宇 | 申请（专利权）人： | TES股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/198 | 分类号： | C01B32/198 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙仁市处*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 石墨 沉积 利用 薄膜 形成 方法 | ||
1.一种氧化石墨烯薄膜形成方法，其特征在于，包括：
(a)将基板配置到等离子体增强化学气相沉积装置中，对所述基板进行加热；
(b)将包括包含碳、氢及氧的含氧烃类化合物与氧化石墨烯的沉积源汽化而导入到所述等离子体增强化学气相沉积装置中，在所述沉积源中包括0.1重量％至1.0重量％的所述氧化石墨烯；
(c)对所述等离子体增强化学气相沉积装置施加射频功率而在所述等离子体增强化学气相沉积装置中形成等离子体，由此分解所述沉积源而在所述基板上沉积氧化石墨烯；以及
(d)冲洗所述等离子体增强化学气相沉积装置的内部。
2.根据权利要求1所述的氧化石墨烯薄膜形成方法，其特征在于，
所述含氧烃类化合物包括酮类化合物、醚类化合物及醇类化合物中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的氧化石墨烯薄膜形成方法，其特征在于，
所述基板为硅基板，(c)步骤中沉积的所述氧化石墨烯的厚度为30纳米以上。
4.根据权利要求1所述的氧化石墨烯薄膜形成方法，其特征在于，
通过反复进行包括(b)步骤至(d)步骤的单位过程的方式执行。
5.根据权利要求4所述的氧化石墨烯薄膜形成方法，其特征在于，
在所述(b)步骤中供给汽化的所述沉积源，但不施加所述射频功率，
在所述(c)步骤中供给汽化的所述沉积源，也施加所述射频功率。
6.根据权利要求4所述的氧化石墨烯薄膜形成方法，其特征在于，
所述单位过程在所述(c)步骤与所述(d)步骤之间还包括利用惰性气体等离子体对沉积的所述氧化石墨烯进行处理的等离子体处理步骤。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的氧化石墨烯薄膜形成方法，其特征在于，
还包括还原所沉积的所述氧化石墨烯的步骤。
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