[发明专利]摄像装置及照相机系统

说明书

目的是提供一种使耐光性提高的摄像装置。具备第1像素及第2像素；上述第1像素及第2像素分别包括：光电变换部，包括第1电极、第2电极、以及上述第1电极与上述第2电极之间的光电变换层，将入射光变换为电荷；放大晶体管，具有连接在上述第1电极的栅极电极，输出与上述电荷的量对应的信号；以及减光元件，被层叠在上述光电变换层上，使向上述光电变换层入射的光减光；上述第1像素的上述减光元件的透射率，与上述第2像素的上述减光元件的透射率不同。

技术领域

本公开涉及层叠型的摄像装置及照相机系统。

背景技术

摄像装置被广泛地用在数字静像照相机、数字摄像机等中。作为摄像装置，已知有例如放大型摄像装置及电荷转送型摄像装置。作为放大型摄像装置的例子，可以举出CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等的MOS型图像传感器。作为电荷转送型摄像装置的例子，可以举出CCD(Charge Coupled Device)图像传感器。

在图像传感器中，从画质的观点来说，受到重视的是光灵敏度。光灵敏度越高，即使是很少的入射光量也能得到较高的信号振幅，所以能够取得S/N较好的高画质的图像。为了使该光灵敏度增加而做了各种各样的精心设计。例如，通过提高将光变换为电信号的光电变换部的变换效率，能够使光灵敏度增加。

例如，有将光电变换特性良好的有机薄膜作为光电变换膜而配置在硅基板的上方的有机膜层叠型的摄像装置(例如专利文献1)。通过使用这样的光电变换膜，能够使光灵敏度提高。

专利文献1：日本特开2011－181595号公报

发明内容

在摄像装置中，要求提高光电变换部的耐光性。

所以，在本公开中，提供抑制能够使耐光性提高的摄像装置及照相机系统。

为了解决上述课题，根据本公开的非限定性的例示性的实施方式，提供以下技术方案。

有关本公开的一技术方案的摄像装置具备第1像素及第2像素；上述第1像素及第2像素分别包括：光电变换部，包括第1电极、第2电极、以及上述第1电极与上述第2电极之间的光电变换层，将入射光变换为电荷；放大晶体管，具有连接在上述第1电极的栅极电极，输出与上述电荷的量对应的信号；以及减光元件，被层叠在上述光电变换层上，使向上述光电变换层入射的光减光；上述第1像素的上述减光元件的透射率，与上述第2像素的上述减光元件的透射率不同。

根据本公开，能够提供一种使耐光性提高的摄像装置及照相机系统。

附图说明

图1是典型的有机膜层叠型的摄像装置的概略剖面图。

图2是有关实施方式的摄像装置的概略剖面图。

图3是说明将实施方式的减光元件的遮光度变更的情况下的烧伤程度的差异的图。

图4是说明有关实施方式的摄像装置的设置状态的图。

图5是由图4所示的摄像装置对外界进行摄影时的图像的一例。

图6是将有关实施方式的摄像装置的摄像区域从相对于半导体基板的表面垂直的方向观察的图。

图7是说明将有关实施方式的摄像装置设置为使受光面相对于水平面为90度时的太阳的仰角的图。

图8是表示太阳的仰角与图7所示的摄像装置的受光面上的太阳光的放射照度的关系的曲线图。

图9是说明摄像区域的Y轴方向上的遮光度的变化的图。

图10是将有关实施方式的摄像装置的摄像区域从相对于半导体基板的表面垂直的方向观察的图。