[发明专利]像素阵列基板有效
申请号: | 201811137554.0 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN109360829B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 苏志中;陈亦伟 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/64 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
1.一种像素阵列基板,包括:
一基底,具有一主动区;以及
多个像素结构,配置于该基底的该主动区上,每一像素结构包括:
一扫描线以及一数据线,交错设置;
一薄膜晶体管,具有一第一端、一控制端以及一第二端,该薄膜晶体管的该第一端电性连接至该数据线,该薄膜晶体管的该控制端电性连接至该扫描线;
一第一绝缘层,设置于该薄膜晶体管上且具有一第一接触窗,该第一接触窗重叠于该薄膜晶体管的该第二端;
一共用电极,设置于该第一绝缘层上且具有一第一开口,该共用电极的该第一开口重叠于该第一绝缘层的该第一接触窗;
一第二绝缘层,设置于该共用电极上且具有一第二接触窗,该第二接触窗重叠于该第一绝缘层的该第一接触窗且位于该共用电极的该第一开口内;
一像素电极,设置于该第二绝缘层上,且透过该第一绝缘层的该第一接触窗电性连接至该薄膜晶体管的该第二端;
一第三绝缘层,设置于该像素电极上;以及
一辅助电极,设置于该第三绝缘层上且与该共用电极电性连接,其中该辅助电极具有一第二开口,该辅助电极的该第二开口与该像素电极重叠,而该辅助电极的一第一实体部遮蔽该共用电极的该第一开口,
其中该多个像素结构沿一方向排成一行,该行上的该多个像素结构的多个共用电极的多个第一开口彼此相通而形成在该方向上延伸的一沟槽。
2.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中该多个像素结构包括在该方向上依序排列的一第一像素结构、一第二像素结构及一第三像素结构,而该沟槽重叠于该第一像素结构的一第一数据线的一部分、该第二像素结构的一第二数据线的一部分以及该第三像素结构的一第三数据线的一部分。
3.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中该像素电极具有与该共用电极的该第一开口重叠的一接触部,而该像素电极的该接触部与该辅助电极的该第一实体部重叠。
4.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中该辅助电极的一第二实体部位于该共用电极的该第一开口外且定义该辅助电极的该第二开口,该像素电极具有位于该共用电极的该第一开口外的一显示部,而该像素电极的该显示部的边缘与该辅助电极的该第二实体部重叠。
5.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中该辅助电极的一第二实体部位于该共用电极的该第一开口外且定义该辅助电极的该第二开口,而该辅助电极的该第二实体部与该共用电极的一第三实体部重叠。
6.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中该第一接触窗的垂直投影以及该第二接触窗的垂直投影位于该共用电极的该第一开口的垂直投影内。
7.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中该第二接触窗位于该第一接触窗内。
8.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中该基底还具有该主动区外的一周边区,该第一绝缘层还具有位于该周边区的一第三接触窗,该像素阵列基板还包括:
一周边走线,设置于该基底的该周边区且具有一参考电位,其中该共用电极透过该第三接触窗电性连接至该周边走线。
9.如权利要求8所述的像素阵列基板,其中该第二绝缘层还具有位于该周边区的一第四接触窗,该第三绝缘层具有位于该周边区的一第五接触窗,而该辅助电极透过该第四接触窗及该第五接触窗电性连接至该共用电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的