[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201811137571.4 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN110970319A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 廖文河;林平杰 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包含：
第一管线；
第一阀门，连接于所述第一管线；
第二管线；
第二阀门，连接于所述第二管线；以及
第一真空腔室，设置于所述第一阀门与所述第二阀门之间，其中所述第一真空腔室设置有压力传感器。
2.依据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一管线与所述第二管线分别供应不同的气体。
3.依据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一管线供应一特气，所述第二管线供应氮气。
4.依据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一阀门与所述第二阀门分别包含截止阀，各所述截止阀直接连接所述第一真空腔室。
5.依据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包含单向阀。
6.依据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述单向阀设置于所述截止阀与所述第二管线之间。
7.依据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包含第二真空腔室，所述第二真空腔室同样设置于所述第一阀门与所述第二阀门之间。
8.依据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第二真空腔室包含另一压力传感器。
9.依据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一真空腔室与所述第二真空腔室之间还设置第三阀门，所述第三阀门包含截止阀。
10.依据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第一阀门与所述第二阀门分别包含另一截止阀，所述另一截止阀直接分别连接所述第一真空腔室与所述第二真空腔室。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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