[发明专利]半导体功率元件在审
| 申请号： | 201811137574.8 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109585542A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 杨亚谕;杜尚儒;张宗正;刘家呈 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205;H01L29/207 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功能层 阻挡层 缓冲结构 阻挡结构 中间层 半导体功率元件 通道层 基板 碳掺杂 铁掺杂 | ||
1.一种半导体功率元件，其特征在于，包含︰
基板；
位于该基板上的缓冲结构；
位于该缓冲结构上的背阻挡结构；
位于该背阻挡结构上的通道层；以及
位于该通道层上的阻挡层；
其中该背阻挡结构包含第一功能层、第一背阻挡层以及中间层，该第一功能层位于该缓冲结构上，该第一背阻挡层位于该第一功能层上，以及该中间层位于该第一背阻挡层以及该第一功能层之间；
其中该第一背阻挡层的材料包含Alx1Ga1-x1N，该第一功能层的材料包含Alx2Ga1-x2N，0<x1≤1，0≤x2≤1，且x1≠x2，其中该中间层包含碳掺杂或铁掺杂的材料。
2.如权利要求1所述的半导体功率元件，其中0.5≤x2且x1<x2。
3.如权利要求1所述的半导体功率元件，其中该中间层的厚度小于或等于100nm，且该中间层的材料包含GaN。
4.如权利要求1所述的半导体功率元件，其中该缓冲结构包含应变结构，该应变结构包含超晶格结构，该超晶格结构包含AlmGa1-mN以及AlnGa1-nN，其中0≤m≤1，0≤n≤1。
5.如权利要求1所述的半导体功率元件，其中该缓冲结构包含一厚层，该厚层的厚度大于或等于2微米(μm)，且该厚层的材料包含碳掺杂或铁掺杂的GaN。
6.如权利要求1所述的半导体功率元件，其中该阻挡层的材料包含AlkGa1-kN，其中0<k≤1，且该通道层的材料包含GaN。
7.如权利要求1所述的半导体功率元件，还包含第一电极以及第二电极，该第一电极以及该第二电极在该阻挡层上。
8.如权利要求7所述的半导体功率元件，还包含在该阻挡层上的第三电极。
9.如权利要求8所述的半导体功率元件，还包含盖层，该盖层位于该阻挡层与该第一电极之间、和/或位于该阻挡层与该第二电极之间、和/或位于该阻挡层与该第三电极之间。
10.如权利要求9所述的半导体功率元件，其中该盖层的材料包含GaN，且该盖层的厚度小于或等于10nm。
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