[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述有源层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的阱层和垒层；所述阱层的材料采用未掺杂的氮化铟镓，所述垒层的材料采用未掺杂的氮化镓；其特征在于，所述复合结构还包括过渡层，所述过渡层设置在所述阱层和垒层之间；所述过渡层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层的材料采用未掺杂的氮化铝铟，所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铝；所述过渡层的厚度小于所述阱层的厚度；所述过渡层还包括第三子层，所述第三子层设置在所述阱层和所述第一子层之间；所述第三子层的材料采用未掺杂的氮化铟，所述过渡层的厚度为所述阱层的厚度为1/4～1/2，所述过渡层的厚度为5埃～15埃，所述第一子层中铟组分的含量小于所述阱层中铟组分的含量。

2.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层；

其中，所述有源层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的阱层、过渡层和垒层，所述过渡层包括依次层叠的第一子层和第二子层；所述第一子层的材料采用未掺杂的氮化铝铟，所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铝，所述阱层的材料采用未掺杂的氮化铟镓，所述垒层的材料采用未掺杂的氮化镓；所述过渡层的厚度小于所述阱层的厚度；所述过渡层还包括第三子层，所述第三子层设置在所述阱层和所述第一子层之间；所述第三子层的材料采用未掺杂的氮化铟，所述过渡层的厚度为所述阱层的厚度为1/4～1/2，所述过渡层的厚度为5埃～15埃，所述第一子层中铟组分的含量小于所述阱层中铟组分的含量。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一子层的生长温度大于所述阱层的生长温度，所述第二子层的生长温度大于或等于所述第一子层的生长温度，且所述第二子层的生长温度小于或等于所述垒层的生长温度。

4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述第一子层的生长压力小于所述阱层的生长压力，且所述第一子层的生长压力小于所述垒层的生长压力；所述第二子层的生长压力小于所述阱层的生长压力，且所述第二子层的生长压力小于所述垒层的生长压力。