[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池及制造方法

权利要求书

1.一种硅基异质结太阳能电池，其特征在于，包括N型单晶硅片，所述N型单晶硅片具有相背设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上由内至外依次设置有第一本征钝化层、N型背场层、第一透明导电层和第一电极，在所述第二表面上由内至外依次设置有第二本征钝化层、P型发射极层、第二透明导电层和第二电极；

其中，在所述第一透明导电层和所述N型背场层之间还设置有透明导电膜缓冲层。

2.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述透明导电膜缓冲层包括氧化铟锡缓冲层、掺铝氧化锌缓冲层和掺钨氧化铟缓冲层中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述透明导电膜缓冲层为经过快速退火处理所形成的所述掺铝氧化锌缓冲层。

4.根据权利要求2所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述透明导电膜缓冲层为经过快速退火处理或水汽处理所形成的所述氧化铟锡缓冲层。

5.根据权利要求2所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述透明导电膜缓冲层为通过反应等离子体沉积技术沉积所形成的所述掺钨氧化铟缓冲层。

6.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一电极通过丝网印刷方式设置在所述第一透明导电层上，所述第二电极通过丝网印刷方式设置在所述第二透明导电层上。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征钝化层为第一本征非晶或微晶钝化层，所述N型背场层为N型非晶或微晶层，所述第二本征钝化层为第二本征非晶或微晶钝化层，所述P型发射极层为P型非晶或微晶层。

8.一种硅基异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：

提供一N型单晶硅片，所述N型单晶硅片包括相背设置的第一表面和第二表面；

在所述N型单晶硅片的第一表面上依次沉积第一本征钝化层、N型背场层、透明导电膜缓冲层和第一透明导电层；

在所述N型单晶硅片的第二表面上依次沉积第二本征钝化层、P型发射极层和第二透明导电层；

分别在所述第一透明导电层上设置第一电极和在所述第二透明导电层上设置第二电极。

9.根据权利要求8所述的硅基异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述在所述N型单晶硅片的第一表面上依次沉积第一本征钝化层、N型背场层、透明导电膜缓冲层和第一透明导电层，具体包括：

采用磁控溅射方式在所述N型背场层上沉积所述透明导电膜缓冲层。

10.根据权利要求9所述的硅基异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述透明导电膜缓冲层为掺铝氧化锌缓冲层或氧化铟锡缓冲层；

所述在所述N型单晶硅片的第一表面上依次沉积第一本征钝化层、N型背场层、透明导电膜缓冲层和第一透明导电层，具体包括：

在所述N型背场层上沉积所述透明导电膜缓冲层之后，在所述透明导电膜缓冲层上，沉积所述第一透明导电层之前，

对沉积有所述透明导电膜缓冲层的所述N型单晶硅片快速退火处理。

11.根据权利要求10所述的硅基异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述透明导电膜缓冲层为掺铝氧化锌缓冲层；

所述对沉积有所述透明导电膜缓冲层的所述N型单晶硅片快速退火处理，具体包括：

在0.5分钟至5分钟内，将沉积有所述透明导电膜缓冲层的所述N型单晶硅片的温度升高至第一退火温度，且在所述第一退火温度下，将所述透明导电膜缓冲层保温持续0.2至3.5分钟，保温完毕后对所述透明导电膜缓冲层进行冷却处理，其中，所述第一退火温度大于或等于450摄氏度，且小于或等于600摄氏度。