[发明专利]超辐射发光二极管及光电器件有效
| 申请号： | 201811138260.X | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109449258B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 王定理;黄晓东;曹明德;李中坤;单静春 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 辐射 发光二极管 光电 器件 | ||
1.一种超辐射发光二极管，其特征在于，包括：
所述超辐射发光二极管的有源区沿波导方向分为发光区和吸收区，所述吸收区的材料能带带隙小于所述发光区的材料能带带隙，所述吸收区的材料是指所述吸收区下方对应的有源层的材料，所述发光区的材料是指所述发光区下方对应的有源层的材料。
2.根据权利要求1所述的超辐射发光二极管，其特征在于，所述超辐射发光二极管采用InGaAsP/InP材料体系制作；
所述超辐射发光二极管的有源层的材料组分为Inx1Ga1-x1Asy1P1-y1，其中x1和y1的取值均大于或等于0而小于1，且发光区对应的有源层部分和吸收区对应的有源层部分的材料具有不同的x1和y1值，以使所述吸收区的材料能带带隙小于所述发光区的材料能带带隙。
3.根据权利要求1所述的超辐射发光二极管，其特征在于，所述超辐射发光二极管采用AlGaInAs/InP材料体系制作；
所述超辐射发光二极管的有源层的材料组分为Alx2Gay2In1-x2-y2As，其中x2和y2的取值均大于或等于0而小于1，且x2+y2值大于或等于0而小于1，且所述发光区对应的有源层部分和吸收区对应的有源层部分的材料具有不同的x2和y2值，以使所述吸收区的材料能带带隙小于所述发光区的材料能带带隙。
4.根据权利要求1所述的超辐射发光二极管，其特征在于，所述超辐射发光二极管采用AlGaInAs/GaAs材料体系制作；
所述超辐射发光二极管的有源层的材料组分为Alx3Gay3In1-x3-y3As，其中x3和y3的取值均大于或等于0而小于1，且x3+y3值大于或等于0而小于1，且所述发光区对应的有源层部分和吸收区对应的有源层部分的材料具有不同的x3和y3值，以使所述吸收区的材料能带带隙小于所述发光区的材料能带带隙。
5.根据权利要求1-4任一项所述的超辐射发光二极管，其特征在于，发光区波导和吸收区波导处于同一平面，且与所述超辐射发光二极管的端面垂直。
6.根据权利要求1-4任一项所述的超辐射发光二极管，其特征在于，发光区波导和吸收区波导处于同一平面，且与所述超辐射发光二极管的端面成第一预设角度。
7.根据权利要求1-4任一项所述的超辐射发光二极管，其特征在于，发光区波导与所述超辐射发光二极管的端面成第二预设角度，所述吸收区波导与所述超辐射发光二极管的端面垂直。
8.根据权利要求1-4任一项所述的超辐射发光二极管，其特征在于，所述超辐射发光二极管的下包层、下限制层、有源层、上限制层、上包层以及欧姆接触层中每一层的厚度均大于或等于0而小于100um。
9.根据权利要求1-4任一项所述的超辐射发光二极管，其特征在于，所述吸收区的材料由选区外延生长工艺制作或者由对接生长工艺制作。
10.一种光电器件，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的超辐射发光二极管。
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