[发明专利]半导体光检测装置和特定波长的光检测方法

权利要求书

1.一种半导体光检测装置，其特征在于，该半导体光检测装置具有：

半导体受光元件，其具有设置在半导体衬底表面的第1导电型的第1导电层、设置在所述第1导电层下方的第2导电型的第2导电层和设置在所述第2导电层下方的第1导电型的第3导电层，在对所述第1导电层施加了第1输入电压的状态下从所述第3导电层输出基于从所述第1导电层上方照射的入射光的强度的第1光电流，在对所述第1导电层施加了第2输入电压的状态下从所述第3导电层输出基于从所述第1导电层上方照射的入射光的强度的第2光电流；以及

半导体光检测电路，其输出基于所述第1光电流与所述第2光电流之间的电流差的输出电压。

2.一种半导体光检测装置，其特征在于，该半导体光检测装置具有：

第1半导体受光元件，其具有设置在半导体衬底表面的第1导电型的第1个第1导电层、设置在所述第1个第1导电层下方的第2导电型的第1个第2导电层和设置在所述第1个第2导电层下方的第1导电型的第1个第3导电层，在对所述第1个第1导电层施加了第1输入电压的状态下从所述第1个第3导电层输出基于从所述第1个第1导电层上方照射的入射光的强度的第1光电流；

第2半导体受光元件，其具有设置在所述半导体衬底表面的第1导电型的第2个第1导电层、设置在所述第2个第1导电层下方的第2导电型的第2个第2导电层和设置在所述第2个第2导电层下方的第1导电型的第2个第3导电层，在对所述第2个第1导电层施加了第2输入电压的状态下从所述第2个第3导电层输出基于从所述第2个第1导电层上方照射的入射光的强度的第2光电流；以及

半导体光检测电路，其具有：第1电流电压转换电路，其将所述第1光电流转换为基于所述第1光电流的第1转换电压而输出；第2电流电压转换电路，其将所述第2光电流转换为基于所述第2光电流的第2转换电压而输出；以及差动放大电路，其输出基于所述第1转换电压与所述第2转换电压之差的电压。

3.根据权利要求1所述的半导体光检测装置，其特征在于，

所述半导体光检测电路具有：

开关，其选择向所述半导体受光元件的所述第1导电层施加的所述第1输入电压和所述第2输入电压中的任一个输入电压；

电流电压转换电路，其将所述半导体受光元件输出的所述第1光电流或者第2光电流转换为基于所述第1光电流或者第2光电流的第1转换电压或者第2转换电压而输出；

电压保持电路，其将所述电流电压转换电路输出的所述第1转换电压作为第1保持电压保持在第1电容中，将所述第2转换电压作为第2保持电压保持在第2电容中，输出所述第1保持电压和第2保持电压，以及

差动放大电路，其输出基于所述电压保持电路输出的所述第1保持电压与第2保持电压之差的电压。

4.根据权利要求1所述的半导体光检测装置，其特征在于，

所述半导体受光元件进一步在对所述第1导电层施加了第3输入电压的状态下从所述第3导电层输出基于从所述第1导电层上方照射的入射光的强度的第3光电流，

所述半导体光检测电路具有：

开关，其选择向所述半导体受光元件的所述第1导电层施加的所述第1输入电压、所述第2输入电压以及所述第3输入电压中的任一个输入电压；

电流电压转换电路，其具有第1电流电压转换率和第2电流电压转换率，该电流电压转换电路包含选择所述第1电流电压转换率和第2电流电压转换率中的任一个电流电压转换率的开关，以所述第1电流电压转换率将所述第1光电流转换为第1转换电压而输出，以所述第2电流电压转换率将所述第2光电流转换为第2转换电压而输出，以所述第1电流电压转换率将所述第3光电流转换为第3转换电压而输出，以所述第2电流电压转换率将所述第3光电流转换为第4转换电压而输出；

电压保持电路，其将所述电流电压转换电路输出的所述第1转换电压作为第1保持电压保持在第1电容中，将所述第2转换电压作为第2保持电压保持在第2电容中，将所述第3转换电压作为第3保持电压保持在第3电容中，将所述第4转换电压作为第4保持电压保持在第4电容中，输出所述第1保持电压与第4保持电压的平均电压、以及所述第2保持电压与第3保持电压的平均电压；以及

差动放大电路，其输出基于所述电压保持电路输出的2个所述平均电压之差的电压。