[发明专利]多点近距离感应器的封装方法有效
申请号: | 201811138711.X | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN109461662B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 饶淦;覃艳 | 申请(专利权)人: | 深圳赛意法微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L25/065;G01S17/08 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 秦维;汪卫军 |
地址: | 518038 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多点 近距离 感应器 封装 方法 | ||
1.一种多点近距离感应器模组封装方法,包括以下步骤:
PCB基板制备步骤:将设置有多个PCB基板单元的PCB电路板切割制成PCB基板,所述PCB基板设置有感应器芯片光学设计位置和VCSEL芯片金属平台;
感应器芯片制备步骤:将设置有多个感应器芯片的晶圆切割制成感应器芯片;所述感应器芯片包括微型镜头组和微处理器,所述微型镜头组设置在所述微处理器表面;
组装步骤:将所述感应器芯片通过芯片贴装工艺安置在所述PCB基板的所述感应器芯片光学设计位置处,并将预先准备的VCSEL芯片通过芯片贴装工艺安置在所述PCB基板的所述VCSEL芯片金属平台上;
固化步骤:将贴有所述VCSEL芯片和所述感应器芯片的所述PCB基板放入烤箱中烘烤至所述VCSEL芯片和所述感应器芯片与所述PCB基板结合牢固;
引线键合步骤:在所述VCSEL芯片和所述感应器芯片与所述PCB基板之间,使用金线和超声焊接技术将所述VCSEL芯片与所述PCB基板、所述感应器芯片与所述PCB基板连接起来,使得所述PCB基板与所述VCSEL芯片、所述PCB基板与所述感应器芯片之间电路导通,形成多点近距离感应器模组。
2.如权利要求1所述的多点近距离感应器模组封装方法,其特征在于,所述PCB基板制备步骤,具体包括以下步骤:
选取设有多颗PCB基板单元的四层PCB电路板;
通过表面封装工艺将两个小尺寸电容安装在每个所述PCB基板单元的基板上;
将整个所述PCB电路板的背面贴在胶带上,并贴上钢圈;
用切割刀片将贴在胶带上的所述PCB电路板切割,将多个所述PCB基板单元分割成独立的PCB基板,每个所述PCB基板对应一个PCB基板单元;
将分割后的所述PCB电路板放到紫外线下照射,释放所述PCB基板与胶带之间的粘合力;
自动识别合格的PCB基板并抓取所述合格的PCB基板,将所述PCB基板贴在有胶带的载体上;
将所述PCB基板放置在烤箱中烤至干燥。
3.如权利要求2所述多点近距离感应器模组封装方法,其特征在于,在通过表面封装工艺将两个小尺寸电容安装在每个所述PCB基板单元的基板上的步骤之后,还包括步骤:用激光在每个所述PCB基板单元的背面基板区域烧制该PCB基板的产品信息。
4.如权利要求3所述多点近距离感应器模组封装方法,其特征在于,所述PCB电路板为0.25毫米厚、设有572颗PCB基板单元的PCB电路板;所述小尺寸电容为01055电容。
5.如权利要求1至4任一所述多点近距离感应器模组封装方法,其特征在于,所述感应器芯片制备步骤,具体包括以下步骤:
选取经测试合格的晶圆,所述晶圆上设置有多个感应器芯片;
通过贴膜机在所述晶圆的正面贴上保护胶带;
通过磨片机研磨所述晶圆的背面,将所述晶圆减薄和抛光至预设的厚度,形成晶圆薄片;
在所述晶圆薄片的背面贴上胶带;
除去贴在所述晶圆薄片正面的保护胶带;
用切割刀片将所述晶圆薄片切割,使得所述多个感应器芯片成为独立的单个感应器芯片;
将切割后的所述晶圆薄片放到紫外线下照射,释放胶带与所述晶圆薄片的粘合力。
6.如权利要求5所述多点近距离感应器模组封装方法,其特征在于,在用切割刀片将所述晶圆薄片切割步骤前,还包括步骤:
利用激光在所述晶圆薄片表面的感应器芯片和感应器芯片之间的切割道上烧制切割槽。
7.如权利要求6所述多点近距离感应器模组封装方法,其特征在于,所述晶圆为厚750微米的12英寸晶圆,上面设有10000个感应器芯片,所述晶圆经EWS检测测试是否合格;
所述通过磨片机切割晶圆的背面,将所述晶圆减薄和抛光至预设的厚度,形成晶圆薄片,具体为将750微米厚的所述晶圆减薄和抛光至120微米厚的晶圆薄片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造