[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质在审

申请号：	201811139670.6	申请日：	2018-09-28
公开（公告）号：	CN109585337A	公开（公告）日：	2019-04-05
发明（设计）人：	佐藤秀明;大野宏树;西脇良典;稻田尊士;河野央	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	析出防止剂基板处理装置磷酸处理液基板处理存储介质供给部蚀刻氮化硅膜硅氧化物蚀刻处理供给量
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备SiO₂析出防止剂供给部和控制部。SiO₂析出防止剂供给部供给要混合到在基板处理槽中进行蚀刻处理的磷酸处理液中的SiO₂析出防止剂。控制部基于磷酸处理液的温度来设定磷酸处理液中含有的SiO₂析出防止剂的浓度，并且控制SiO₂析出防止剂的供给量，使得成为所设定的SiO₂析出防止剂的浓度。

技术领域

公开的实施方式涉及一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。

背景技术

以往，已知在基板处理装置中进行通过使基板浸在磷酸处理液中来对形成在基板上的氮化硅膜(SiN)和硅氧化膜(SiO₂)中的氮化硅膜选择性地进行蚀刻的蚀刻处理(参照专利文献1)。

已知的是，在上述蚀刻处理中，当磷酸处理液的硅浓度变高时，对氮化硅膜进行蚀刻的选择性提高。另一方面，已知的是，当磷酸处理液的硅浓度过高时，硅氧化物(SiO₂)析出到硅氧化膜上。

因此，在上述基板处理装置中，进行调整以使磷酸处理液的硅浓度处于固定的范围内。

专利文献1：日本特开2013-232593号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述基板处理装置中，在提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出方面存在改善的余地。

实施方式的一个方式的目的在于提供一种提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。

用于解决问题的方案

实施方式的一个方式所涉及的基板处理装置具备SiO₂析出防止剂供给部和控制部。SiO₂析出防止剂供给部供给要混合到在基板处理槽中进行蚀刻处理的磷酸处理液中的SiO₂析出防止剂。控制部基于磷酸处理液的温度来设定磷酸处理液中含有的SiO₂析出防止剂的浓度，并且控制SiO₂析出防止剂的供给量，使得成为所设定的SiO₂析出防止剂的浓度。

发明的效果

根据实施方式的一个方式，能够提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。

附图说明

图1是基板处理装置的概要俯视图。

图2是表示蚀刻用的处理槽的供给系统的结构的概要框图。

图3是表示蚀刻用的处理槽的排气系统的结构的概要框图。

图4是说明蚀刻处理的流程图。

图5是说明第二蚀刻处理中的SiO₂析出防止剂的供给方法的流程图。

图6是表示第一蚀刻液的温度与SiO₂析出防止剂的浓度之间的关系的表。

图7是说明蚀刻用的处理槽的排气处理的流程图。

附图标记说明

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。