[发明专利]像素电路、其驱动方法及显示装置

权利要求书

1.一种像素电路，其特征在于，包括：晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、电容C1和有机发光二极管OLED；

所述晶体管T4的控制端用于输入第一扫描信号，所述晶体管T4的第一极接所述晶体管T3的第二极、所述晶体管T1的控制端及所述电容C1的一端，所述电容C1的另一端接所述晶体管T2的第二极、所述晶体管T5的第二极及所述晶体管T1的第一极；

所述晶体管T5的控制端用于输入第一发光控制信号，所述晶体管T5的第一极用于输入所述第一电源电压VDD；

所述晶体管T4的第二极用于输入参考电压Vref，并接所述晶体管T7的第二极；

所述晶体管T2的控制端用于输入第二扫描信号，所述晶体管T2的第一极用于输入数据电压Vdata；

所述晶体管T3的控制端用于输入第二扫描信号，所述晶体管T3的第一极接所述晶体管T1的第二极与所述晶体管T6的第一极；

所述晶体管T6的控制端用于输入第二发光控制信号，所述晶体管T6的第二极接所述晶体管T7的第一极；

所述晶体管T7的控制端用于输入第一扫描信号，所述晶体管T7的第一极接所述有机发光二极管OLED的输入端；

所述有机发光二极管OLED的输出端用于输入第二电源电压VSS。

2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述晶体管T1、所述晶体管T2、所述晶体管T3、所述晶体管T4、所述晶体管T5、所述晶体管T6及所述晶体管T7均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管以及非晶硅薄膜晶体管中的任一种。

3.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述晶体管T1、所述晶体管T2、所述晶体管T3、所述晶体管T4、所述晶体管T5、所述晶体管T6及所述晶体管T7均为P型薄膜晶体管。

4.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述参考电压Vref低于所述第二电源电压VSS。

5.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1至4任一项所述的像素电路。

6.一种像素电路的驱动方法，所述驱动方法基于权利要求1至4任一项所述的像素电路，其特征在于，包括：

初始化阶段，所述第一扫描信号及所述第一发光控制信号均为低电平信号，所述第二扫描信号及所述第二发光控制信号均为高电平信号；所述参考电压Vref，用于初始化所述有机发光二极管OLED的阳极、所述晶体管T1的控制端；

存储阶段，所述第一扫描信号、所述第一发光控制信号及所述第二发光控制信号均为高电平信号，所述第二扫描信号为低电平信号；所述数据电压Vdata，用于将补偿电压写入所述电容C1；

发光阶段，所述第一扫描信号及所述第二扫描信号均为高电平信号，所述第一发光控制信号及所述第二发光控制信号均为低电平信号；所述第一电源电压VDD，用于提供给所述有机发光二极管OLED以使所述有机发光二极管OLED发光。

7.根据权利要求6所述的驱动方法，其特征在于，在所述初始化阶段，所述晶体管T5由所述第一发光控制信号导通，所述第一电源电压VDD，用于初始化所述电容C1接所述晶体管T5第二极的一端。

8.根据权利要求7所述的驱动方法，其特征在于，在所述初始化阶段，所述晶体管T4由所述第一扫描信号导通，所述参考电压Vref，用于初始化所述电容C1接所述晶体管T1控制端的一端。

9.根据权利要求8所述的驱动方法，其特征在于，在所述存储阶段，所述晶体管T5由所述第一发光控制信号截止，所述晶体管T2由所述第二扫描信号导通，所述晶体管T1的第一极的电位等于数据电压Vdata；

所述晶体管T1的控制端的电位等于Vdata-|Vth|。

10.根据权利要求9所述的驱动方法，其特征在于，在所述发光阶段，所述晶体管T5由所述第一发光控制信号导通，所述晶体管T4由所述第一扫描信号截止，所述晶体管T3由所述第二扫描信号截止，所述晶体管T1的第一极的电位等于第一电源电压VDD；

所述晶体管T1的控制端的电位等于Vdata-|Vth|+η(VDD-Vdata)；

其中，η为所述电容C1与所述晶体管T1控制端处的总电容除电容C1之外的其他电容C2确定的分压比例系数。