[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法和扩散源

权利要求书

1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：

准备R1－T－B系烧结磁体原材料的工序，其中，R1为稀土元素，T为Fe或Fe和Co；

准备含有占合金粉末整体的40质量％以上的稀土元素R2的合金粉末的工序，所述稀土元素R2必须包含Dy和Tb中的至少一种；

以比所述合金粉末的熔点低250℃的温度以上、熔点以下的温度对所述合金粉末进行热处理，由所述合金粉末得到由平均结晶粒径超过3μm的金属间化合物的颗粒构成的扩散源的工序；和

将所述R1－T－B系烧结磁体原材料和所述扩散源配置在处理容器内，将所述R1－T－B系烧结磁体原材料和所述扩散源加热到所述R1－T－B系烧结磁体原材料的烧结温度以下的温度，使所述扩散源所含的Dy和Tb中的至少一种从所述R1－T－B系烧结磁体原材料的表面扩散到内部的扩散工序，

所述金属间化合物是指构成扩散源的粉末颗粒内的金属间化合物的晶粒整体，

所述合金粉末是通过雾化法制得的粉末。

2.如权利要求1所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述扩散源的氧含量为0.5质量％以上4.0质量％以下。

3.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述合金粉末为RHRLM1M2合金的粉末，其中，RH为选自Sc、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的一种以上，并且必须包含Tb和Dy的至少一种；RL为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu中的一种以上，并且必须包含Pr和Nd中的至少一种；M1、M2为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的一种以上，M1＝M2或者M1≠M2。

4.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述合金粉末为RHM1M2合金的粉末，其中，RH为选自Sc、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的一种以上，并且必须包含Tb和Dy中的至少一种；M1、M2为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的一种以上，M1＝M2或者M1≠M2。

5.一种扩散源，其为用于向R1－T－B系烧结磁体原材料扩散的扩散源，其中，R1为稀土元素，T为Fe或Fe和Co，所述扩散源的特征在于：

其为含有占合金粉末整体的40质量％以上的稀土元素2的合金粉末，所述稀土元素2必须包含Dy和Tb中的至少一种，

所述合金粉末由平均结晶粒径超过3μm的金属间化合物的颗粒构成，金属间化合物是指构成扩散源的粉末颗粒内的金属间化合物的晶粒整体，

所述颗粒的截面为圆形，

所述合金粉末是通过雾化法制得的粉末，

所述扩散源通过以比所述合金粉末的熔点低250℃的温度以上、熔点以下的温度对所述合金粉末进行热处理而得到。

6.如权利要求5所述的扩散源，其特征在于：

氧含量为0.5质量％以上4.0质量％以下。

7.如权利要求5或6所述的扩散源，其特征在于：

所述合金粉末为RHRLM1M2合金的粉末，其中，RH为选自Sc、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的一种以上，并且必须包含Tb和Dy中的至少一种；RL为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu中的一种以上，并且必须包含Pr和Nd中的至少一种；M1、M2为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的一种以上，M1＝M2或者M1≠M2。

8.如权利要求5或6所述的扩散源，其特征在于：

所述合金粉末为RHM1M2合金的粉末，其中，RH为选自Sc、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的一种以上，并且必须包含Tb和Dy中的至少一种；M1、M2为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的一种以上，M1＝M2或者M1≠M2。