[发明专利]一种快速的高精度低温漂强下拉电流产生电路

说明书

本发明公开了一种应用于马达驱动芯片中的快速的高精度低温漂强下拉电流产生电路，包含：BGR模块、电流控制电压产生模块、镜像偏置电压模块、下拉电流产生模块、关断下拉电流模块；BGR模块产生高精度低温漂的偏置电流Iin；电流控制电压产生模块根据所述偏置电流Iin的大小来产生相应的偏置电压VB1和偏置电压VB2；镜像偏置电压模块是镜像并跟随偏置电压VB2，以产生输出偏置电压VB3；下拉电流产生模块是根据偏置电压VB3产生下拉驱动电流；关断下拉电流模块是通过时钟信号CLK输入高电平时，将输出下拉电流关断。此结构将电流镜可良好镜像低温度系数高精度电流的优势应用到马达驱动芯片的强下拉电流设计中，另外为满足快速响应的要求，又综合了开关管快速响应的优势。

技术领域

本发明涉及一种应用于马达驱动芯片中的快速的高精度低温漂强下拉电流产生电路，属于模拟集成电路技术领域。

背景技术

在传统的马达驱动芯片里，一般小电流驱动线路可采用电流镜产生以得到高精度低温漂的下拉驱动电流。当驱动电流逐渐增大时，会由于驱动管的增大导致其寄生电容增大，进而影响驱动线路的响应速度。因此，当下拉驱动电流达到百毫安量级的强驱动时，为了满足响应时间的要求，一般采取开关管驱动方式来获取快速响应的强下拉电流，如此就牺牲了驱动下拉电流的性能，使得驱动下拉电流随工艺以及温度变化很大，不能产生高精度低温漂的强下拉电流，无法满足高性能的强下拉电流应用要求。

发明内容

本发明的目的是提供一种快速的高精度低温漂强下拉电流产生线路，保证在下拉电流由毫安量级到百毫安量级的应用下都能产生快速响应的低温度系数高精度的高性能下拉电流。

为了达到以上目的，本发明通过以下技术方案实现：

一种快速的高精度低温漂强下拉电流产生电路，包含：BGR模块、电流控制电压产生模块、镜像偏置电压模块、下拉电流产生模块、关断下拉电流模块；

所述BGR模块产生高精度低温漂的偏置电流Iin；

所述电流控制电压产生模块根据所述偏置电流Iin的大小来产生相应的偏置电压VB1和偏置电压VB2；

所述镜像偏置电压模块是镜像并跟随偏置电压VB2，以产生输出偏置电压VB3；

所述下拉电流产生模块是根据偏置电压VB3产生下拉驱动电流；

所述关断下拉电流模块是通过时钟信号CLK输入高电平时，将输出下拉电流关断。

优选地，所述BGR模块连接模块工作正电源VDD和模块工作负电源VSS；

当CLK输入信号由高电平变成低电平时，BGR模块输入电流从零增加到Iin。

优选地，所述电流控制电压产生模块包括NMOS管NM1，NMOS管NM3，PMOS管PM1和电阻R1；

所述PMOS管PM1的源极连接模块工作正电源VDD，栅极连接时钟信号CLK，漏极连接所述NMOS管NM3的漏极；

所述NMOS管NM3的源极与所述电阻R1的第一端连接，栅极连接NMOS管NM1的漏极；

所述NMOS管NM1的漏极输入BGR模块的电流Iin，源极连接模块工作负电源VSS，栅极连接所述电阻R1的第一端；

所述电阻R1的第二端与模块工作负电源VSS连接，此时电阻R1上的电压降是VB2-VSS。

优选地，所述镜像偏置电压模块包括NMOS管NM4，PMOS管PM2和电阻R2；

所述PMOS管PM2的源极与模块工作正电源VDD连接，栅极连接时钟信号CLK，漏极连接所述NMOS管NM4的漏极；

所述NMOS管NM4源极与所述电阻R2的第一端连接，栅极连接NMOS管NM1的漏极；