[发明专利]一种溴化银/铬酸银n-n异质结复合光催化剂的制备方法

说明书

本发明公开了一种溴化银/铬酸银n‑n异质结复合光催化剂的制备方法，首先在黑暗条件下，将Na₂CrO₄·4H₂O加入去离子水中形成溶液A；将AgNO₃加入去离子水中形成溶液B；再将溶液B逐滴加入到溶液A中形成混合液，持续搅拌后静置，将所得的产物抽滤，用乙醇和去离子水洗涤数次，干燥即得产物Ag₂CrO₄；然后在黑暗条件下，取产物Ag₂CrO₄分散在去离子水中得到Ag₂CrO₄的分散液，再配置KBr溶液，将KBr溶液逐滴加入Ag₂CrO₄的分散液中搅拌后静置，所得产物用无水乙醇和去离子水洗涤数次，然后干燥即得AgBr/Ag₂CrO₄n‑n异质结复合光催化剂。本发明在AgBr和Ag₂CrO₄之间构建n‑n异质结，能有效防止载流子的复合湮灭，复合后的AgBr/Ag₂CrO₄光催化剂活性明显优于AgBr和Ag₂CrO₄。

技术领域

本发明涉及光催化材料领域，具体涉及一种溴化银/铬酸银n-n异质结复合光催化剂的制备方法。

背景技术

半导体光催化技术因无污染，能耗低等优点在保护环境方面具有很大的应用前景。在众多半导体材料中，银基半导体具有光响应能力强，电子产率高，氧化能力强等特点，在光催化领域具有很大的潜力。但是目前的研究内容中对于银基半导体中Ag₂CrO₄半导体的报道较少。例如Ag₂Mo₂O₇，AgX，Ag₃PO₄等银基半导体在光催化领域得到广泛研究，并取得优异的成果。

文献“中国专利CN106669744A”公开了一种纳米棒状Ag₂Mo₂O₇@AgBr复合光催化剂的制备方法，本发明通过低温液相恒温加热法制备纳米棒状Ag₂Mo₂O₇，再通过离子交换法在Ag₂Mo₂O₇表面生成AgBr纳米颗粒。该方法制备出单斜相Ag₂Mo₂O₇，并以此为前驱体，通过离子交换生成AgBr纳米颗粒，增加了光催化剂的对可见光的利用，降低了电子空穴复合率，提高了Ag₂Mo₂O₇的光催化活性，能够有效降解罗丹明B染料。

文献“中国专利CN106978715A”本发明公开了一种具有光催化和抗菌性能的纺织布复合材料，它为纺织布上负载着片状AgBr/ZnO/BiOBr的复合材料，它由BiOBr纳米片附着在纺织布纤维表面而成，其中BiOBr纳米片上负载着ZnO和AgBr纳米颗粒。该复合材料涉及的制备方法简单，反应耗时短、效率高、能耗低，所纺织布复合材料对常见皮肤致病菌金黄色葡萄球菌和绿脓杆菌均具有优异的抑菌活性，可在光照下反复降解吸附在其表面上的有机染料，并具有稳定的光催化自清洁的效果，适用于医疗、环保、日用生活品等领域，适合推广应用。