[发明专利]利用量子点半导体器件测量质子位移损伤剂量方法及装置

权利要求书

1.利用量子点半导体器件测量质子位移损伤剂量方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步：采用InAs/GaAs材料制成的量子点半导体器件作为探测器，对该探测器进行供电，并控制供电电流从小到大线性增加，当探测器开始出光且出光稳定后，记录此时的供电电流，即为探测器未经质子辐照时的阈值电流；

第二步：使用标准质子源对探测器进行辐照，同时监测辐照时的质子位移损伤剂量；辐照后开始对该探测器进行供电，并控制供电电流从小到大线性增加，当探测器开始出光且出光稳定后，记录此时的供电电流，即为探测器在该质子辐照剂量下的阈值电流；

第三步：不断改变质子辐照剂量，并获得探测器对应的阈值电流，由此得到探测器阈值电流与质子位移损伤剂量的曲线关系图；

第四步：在测试其它光电器件在某一特定辐照下的质子位移损伤剂量时，将InAs/GaAs材料制成的量子点半导体器件置于该特定辐照中，并获得阈值电流，再查阅第三步获得的阈值电流随质子辐照剂量的曲线关系图，该阈值电流对应的质子位移损伤剂量即为被测光电器件在该特定辐照下的质子位移损伤辐射剂量。

2.如权利要求1所述的利用量子点半导体器件测量质子位移损伤剂量方法，其特征在于，各次质子辐照后在10分钟内完成探测器阈值电流的测量。

3.一种实现权利要求1所述的测量质子位移损伤剂量方法的装置，其特征在于，包括5V电源、运算放大器及三极管；5V电源的正端依次串接电阻R1和可变电阻R2后接地；运算放大器的正向输入端接在电阻R1和可变电阻R2之间；运算放大器的反向输入端串接电阻R4后接地；运算放大器的输出端串接电阻R3后接三极管的基极；三极管的发射极接在运算放大器的反向输入端，集电极依次串接探测器和电流计后接在正5V电源上。