[发明专利]透光薄膜太阳能电池制造方法及透光薄膜太阳能电池

权利要求书

1.一种透光薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在透明基板上形成薄膜太阳能芯片；

在薄膜太阳能芯片选定的位置上开设缝隙孔，使缝隙孔贯穿所述薄膜太阳能芯片。

2.根据权利要求1所述的透光薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，在透明基板上形成薄膜太阳能芯片的步骤包括：在透明基板上形成背电极；

在薄膜太阳能芯片选定的位置上开设缝隙孔的步骤还包括：将背电极中缝隙孔的边缘与位于背电极上方的薄膜太阳能芯片中缝隙孔的边缘交错设置。

3.根据权利要求2所述的透光薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，将背电极中缝隙孔的边缘与位于背电极上方的薄膜太阳能芯片中缝隙孔的边缘交错设置的步骤包括：

在薄膜太阳能芯片选定的位置上去除背电极上方的薄膜太阳能芯片形成第一缝隙孔；

在第一缝隙孔内去除背电极形成第二缝隙孔，并使第二缝隙孔的边缘与第一缝隙孔的边缘交错设置。

4.根据权利要求3所述的透光薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，形成第一缝隙孔的步骤中，使用刻刀去除薄膜太阳能芯片选定的位置上背电极上方的薄膜太阳能芯片；

形成第二缝隙孔的步骤中，使用激光去除第一缝隙孔内的背电极。

5.根据权利要求2所述的透光薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，将背电极中缝隙孔的边缘与位于背电极上方的薄膜太阳能芯片中缝隙孔的边缘交错设置的步骤包括：

在薄膜太阳能芯片选定的位置上去除薄膜太阳能芯片形成第一缝隙孔；

沿第一缝隙孔的边缘去除位于背电极上方的薄膜太阳能芯片形成第二缝隙孔。

6.根据权利要求5所述的透光薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，形成第一缝隙孔的步骤中，使用激光去除薄膜太阳能芯片选定的位置上的薄膜太阳能芯片；

形成第二缝隙孔的步骤中，使用刻刀沿第一缝隙孔的边缘去除位于背电极上方的薄膜太阳能芯片。

7.根据权利要求2-6中任一项所述的透光薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，在透明基板上形成薄膜太阳能芯片的步骤还包括：

对背电极进行P1划线，P1划线贯穿背电极形成第一沟槽；

在背电极和第一沟槽上形成吸收层；

在吸收层上形成缓冲层；

对缓冲层和吸收层进行P2划线，P2划线贯穿缓冲层和吸收层形成第二沟槽；

在缓冲层和第二沟槽上形成本征层；

在本征层上形成透明导电层；

对透明导电层、本征层、缓冲层和吸收层进行P3划线，P3划线贯穿透明导电层、本征层、缓冲层和吸收层形成第三沟槽。

8.根据权利要求7所述的透光薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，在薄膜太阳能芯片选定的位置上开设缝隙孔的步骤包括：

沿与第一沟槽的延伸方向垂直的方向，开设条形缝隙孔并使条形缝隙孔的两端分别贯穿薄膜太阳能芯片的侧壁。

9.根据权利要求8所述的透光薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，在薄膜太阳能芯片选定的位置上开设缝隙孔的步骤还包括：

沿第一沟槽的延伸方向，间隔开设多个条形缝隙孔。

10.一种透光薄膜太阳能电池，其特征在于，所述透光薄膜太阳能电池采用权利要求1-9任一项所述的透光薄膜太阳能电池制造方法制得。