[发明专利]一种基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件

说明书

本发明公开了一种基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件。所述基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件中所述P型半导体薄膜或所述N型半导体薄膜位于所述衬底上；所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜相对设置；所述第一电极与所述N型半导体薄膜电连接；所述第二电极与所述P型半导体薄膜电连接；所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜的主体材料为KBe₂BO₃F₂、RbBe₂BO₃F₂或CsBe₂BO₃F₂；其中，所述第一电极和所述第二电极分别电连接电源的负极和正极。本发明实施例提供的技术方案，使得利用KBe₂BO₃F₂、RbBe₂BO₃F₂或CsBe₂BO₃F₂作为主体材料制备的二极管器件能够高效地产生或探测深紫外波段的光，实现深紫外波段应用的二极管光电器件的构建。

技术领域

本发明实施例涉及二极管技术，尤其涉及一种基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件。

背景技术

半导体光电子器件是指利用半导体材料的光-电转换效应制成的各种功能器件，其产品包括发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、光电探测器、光电接收器以及太阳能电池等。

光电子半导体器件的功能核心部件是利用半导体材料制备的。紫外光电子技术要求其所利用的半导体材料要具有短的响应波长，即材料应具有宽的带隙，称之为宽禁带半导体材料。现有技术中常用的宽禁带半导体材料金刚石、氮化铝及六方氮化硼具有禁带宽度大，迁移率高、介电常数小、导热性能好等优点点，适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件，尤其在短波领域中的应用优势显著。宽禁带直接带隙半导体材料的一个基本的要求是需要材料是直接带隙，用以保证高的发光及光电转换效率。氮化铝以及六方氮化硼制备的二极管器件填补了先前无紫外波段应用的二极管器件的空白。但目前为止还没有深紫外(波长小于200nm)波段应用的宽禁带半导体材料。

发明内容

本发明提供一种基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件，以提供一种深紫外波段应用的二极管器件。

本发明实施例提供了一种基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件，包括：

衬底、N型半导体薄膜、P型半导体薄膜、第一电极以及第二电极；

所述P型半导体薄膜或所述N型半导体薄膜位于所述衬底上；

所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜相对设置；

所述第一电极与所述N型半导体薄膜电连接；

所述第二电极与所述P型半导体薄膜电连接；

所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜的主体材料为KBe₂BO₃F₂、RbBe₂BO₃F₂或CsBe₂BO₃F₂；

其中，所述第一电极和所述第二电极分别电连接电源的负极和正极。