[发明专利]干法蚀刻制备6代LTPS用PSM

说明书

本发明公开了干法蚀刻制备6代LTPS用PSM，其制作方式包括CR系材料制作PSM和MOSI材料制作PSM；CR系材料制作PSM的制作方法包括以下步骤：①、光刻胶整形，使光刻胶截面角度变大；②、干法蚀刻正常区域Cr；③、蚀刻PS区域光刻胶；④、蚀刻掉适当地Glass厚度；⑤、干法蚀刻PS区域Cr；MOSI材料制作PSM的制作方法包括以下步骤：①、光刻胶整形，使光刻胶截面角度变大。本发明使用下置型方法，只需要对正常CR系材料分两个cell曝光即能制作出PSM，下置型方法不需要进行二次镀膜和涂胶，缩短了制作PSM的周期，使用MOSI材料也能实现制作出PSM，从而增加了PSM制作材料的广泛性，进一步降低了PSM的生产成本，提高了其市场竞争力，符合企业自身的利益。

技术领域

本发明涉及PSM技术领域，具体为干法蚀刻制备6代LTPS用PSM。

背景技术

目前FPD用MASK在制备6代LTPS用PSM(phase shift mask),使用上置型的方式，先正常曝光BIN(Binary)区域，完成显影、蚀刻、脱膜工序后，再把半成品进行二次镀膜、二次涂光刻胶，然后再进行第二次PS(phase shift)区域的曝光，完成显影、蚀刻、脱膜，在PS和正常曝光区域形成高度差，适当的高度差就能使周期性相邻图形(PS和BIN区域)产生180度的相位差来制作PSM，上置型实现PSM进行二次镀膜、二次涂胶、二次光刻，这样大大加长制作周期，工序较为繁琐，产品缺陷和产品精度都受到影响，为此，我们提出干法蚀刻制备6代LTPS用PSM。

发明内容

本发明的目的在于提供干法蚀刻制备6代LTPS用PSM，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：干法蚀刻制备6代LTPS用PSM，其制作方式包括CR系材料制作PSM和MOSI材料制作PSM；

CR系材料制作PSM的制作方法包括以下步骤：

①、光刻胶整形，使光刻胶截面角度变大；

②、干法蚀刻正常区域Cr；

③、蚀刻PS区域光刻胶；

④、蚀刻掉适当地Glass厚度；

⑤、干法蚀刻PS区域Cr；

MOSI材料制作PSM的制作方法包括以下步骤：

①、光刻胶整形，使光刻胶截面角度变大；

②、干法蚀刻正常区域Cr；

③、干法蚀刻正常区域MOSI；

④、蚀刻PS区域光刻胶；

⑤、干法蚀刻PS区域Cr。

优选的，所述PSM是由适当地高度差就能使周期性相邻图形(PS和BIN区域)产生180度的相位差，从而到达提升分辨率，PS和正常曝光区域高度差就是材料一Glass和材料二MOSI的厚度d，产生180度相位差所需的厚度可有公式计算出，λ为激光波长，n为该种材料折射率。

与现有技术相比，本发明的有益效果如下：

本发明使用下置型方法，只需要对正常CR系材料分两个cell曝光即能制作出PSM，下置型方法不需要进行二次镀膜和涂胶，缩短了制作PSM的周期，使用MOSI材料也能实现制作出PSM，从而增加了PSM制作材料的广泛性，进一步降低了PSM的生产成本，提高了其市场竞争力，符合企业自身的利益。

附图说明

图1为本发明CR系材料制作PSM流程示意图；

图2为本发明MOSI材料制作PSM流程示意图。

具体实施方式