[发明专利]通过循环沉积在衬底上沉积金属硫族化物的方法

权利要求书

1.一种通过循环沉积在衬底上沉积金属硫族化物的方法，所述方法包括：

使所述衬底与至少一种含金属的气相反应物接触，所述气相反应物包括由式M-O-C表示的部分化学结构，其中金属(M)原子键结至氧(O)原子，并且所述氧(O)原子键结至碳(C)原子；并且

使所述衬底与至少一种含硫族元素的气相反应物接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属硫族化物包括金属二硫族化物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种含硫族元素的气相反应物包括S、Se或Te。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属硫族化物包括低于10原子％的氧(O)含量。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述循环沉积包括原子层沉积。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述循环沉积包括循环化学气相沉积。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述含金属的气相反应物包括含锡(Sn)的气相反应物或含锗(Ge)的气相反应物中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述至少一种含锡(Sn)的气相反应物由化学式Sn(OR)_x表示，其中R是C₁-C₅烷基并且x是2-6的整数。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述至少一种含锡(Sn)的气相反应物包括乙酸锡(IV)。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述至少一种含锡(Sn)的气相反应物由以下部分式表示：

其中锡(Sn)原子键结至两个氧(O)原子，并且所述氧(O)原子通过一个单键和一个双键键结至碳原子(C)，并且R包括烃基。

11.根据权利要求7所述的方法，其中所述至少一种含锡(Sn)的气相反应物由以下部分式表示：

其中锡(Sn)原子键结至两个氧(O)原子，并且所述氧(O)原子通过一个单键和一个双键键结至碳原子(C)，并且R是烃基，且L是另一烃基。

12.根据权利要求7所述的方法，其中所述至少一种含锡(Sn)的气相反应物由以下部分化学式表示：

L-Sn-O-C

其中锡(Sn)原子键结至氧(O)原子，并且所述氧(O)原子键结至碳原子(C)，且L是烃基。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种含硫族元素的气相反应物包括硫化氢(H₂S)、硒化氢(H₂Se)、甲硫醚((CH₃)₂S)或二甲基碲(CH₃)₂Te。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括至少一个沉积循环，其中所述衬底交替并依序与所述至少含金属的气相反应物和所述至少一种含硫族元素的气相反应物接触。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述沉积循环重复两次或多于两次。

16.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括将所述衬底加热到高于约150℃的温度。

17.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括将所述衬底加热到低于约500℃的温度。

18.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属硫族化物包括二硫化锡。