[发明专利]一种快速检测遗传性皮肤抗痘基因的方法在审
申请号: | 201811143772.5 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN109554457A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 王亮;赵绍军;蒋桂瑾 | 申请(专利权)人: | 广州益养生物科技有限公司 |
主分类号: | C12Q1/6883 | 分类号: | C12Q1/6883 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510000 广东省广州市国际生物岛螺旋*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 快速检测 遗传性 基因 检测 分子生物学领域 皮肤 熔解曲线分析 标准基因型 待检测样本 待检测样品 特异性引物 反应条件 高分辨率 基因型 突变型 野生型 杂合型 位点 突变 分析 | ||
本发明为一种快速检测遗传性皮肤抗痘基因的方法,涉及分子生物学领域。本发明涉及检测两个基因的两个SNP位点,提供待检测位点的检测用特异性引物及其反应条件(详见表1~3)。本发明采用高分辨率熔解曲线分析技术(High Resolution Melting,HRM)以分析待检测样本的各SNP位点基因型。为辅助分析待检测样品的基因型,本发明还将提供各SNP位点对应标准基因型模板(含野生型、突变杂合型及突变型)。
技术领域
本发明为一种快速检测遗传性皮肤抗痘基因的方法,涉及分子生物学领域,尤其针对美肤行业肤质评测。
背景技术
目前,常用的基因检测方法为测序法、基因芯片法、飞行质谱法,这些方法都需要在完成PCR扩增后进行后续实验分析,实验周期相对较长,适用于中、高通量的SNP检测。使用支持高分辨率熔解曲线分析技术(High Resolution Melting,HRM)的仪器仅需要一次PCR扩增后即可根据扩增产物直接进行分析报告得出样品的基因型,极大的缩短了实验时长。
HRM是一种基于单核苷酸熔解温度不同而形成不同形态熔解曲线的基因分析新技术,具有极高的敏感性,可以检测出单个碱基的差异,并且成本低、通量高、速度快、结果准确、不受检测位点的局限,实现了真正的闭管操作。
HRM无需使用序列特异性探针,而是利用一种饱和染料对PCR反应产物进行分析。基本原理:双链核苷酸(double strand DNA,dsDNA)的热稳定性受其长度和碱基组成的影响,序列变化会导致升温过程中dsDNA解链行为的改变。因为所用的荧光染料只能嵌入并结合到dsDNA上,因此利用实时PCR技术,通过实时检测dsDNA熔解过程中荧光信号值的变化,就能以生成不同形状熔解曲线的方式将PCR产物中存在的差异直观地展示出来。同时,借助于专业性的分析软件就可以对测试群体实现基于不同形状熔解曲线的基因分型或归类。
研究发现痤疮的发生与毛囊皮脂腺单位雄激素受体水平升高、雄激素受体与雌激素受体比例失调以及雄激素受体活性增高有关。如面部毛囊皮脂腺单位雄激素受体水平高,痤疮就好发于面部。除面部外,痤疮还好发于皮脂腺较为丰富的胸背部。人体内存在多种基因调控性激素受体的活性,如:DNA损伤结合蛋白2(DDB2)基因编码DNA损伤结合蛋白2。DNA损伤结合蛋白2介导组蛋白H4的泛素化降解,而组蛋白H4在人皮脂腺细胞中是抗微生物反应的主要成分之一。研究还发现DNA损伤结合蛋白2与雄性激素受体有相互作用,调节雄性激素代谢。
selectin L(SELL),该基因编码细胞表面粘附分子,其属于粘附/归巢受体家族。编码的蛋白质含有C型凝集素样结构域、钙结合表皮生长因子样结构域和两个短补体样重复序列。其基因产物是白细胞在内皮细胞上结合和随后滚动所需的,促进它们迁移到次级淋巴器官和炎症部位,从而形成痘痘等。
damage specific DNA binding protein 2(DDB2),该基因编码的蛋白质是修复受紫外线损伤的DNA所必需的。该蛋白质是参与核苷酸切除修复的异二聚体蛋白质复合物的较小亚基,并且该复合物介导组蛋白H3和H4的泛素化,其促进细胞对DNA损伤的反应。
发明内容
为了加快检测速度、简化检测过程,本发明选用了HRM技术对与皮肤抗痘能力相关的基因突变位点进行基因型分析。为实现这一检测我们提供了一系列用于HRM试验的特异性扩增引物及对应的标准对照品。
本发明涉及检测两个基因共两个SNP位点,提供待检测位点的检测用特异性引物及其使用LightCycler 480 High Resolution Melting Master试剂盒特异性扩增DNA片段的反应体系和条件(详见表1)。本发明采用高分辨率熔解曲线分析技术(High ResolutionMelting,HRM)以分析待检测样本的各SNP位点基因型。为辅助分析待检测样品的基因型,本发明还将提供各SNP位点对应标准基因型模板(含野生型、突变杂合型及突变型)。
表1.检测用引物及其条件
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