[发明专利]LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

第二导电类型的第一外延层，在所述第一外延层的选定区域中形成有第一导电类型的漂移区和第二导电类型的体区；所述漂移区和所述体区横向接触或隔离有距离；

在所述体区的表面形成有由栅介质层和多晶硅栅叠加而成的栅极结构，被所述多晶硅栅覆盖的所述体区表面用于形成沟道；所述栅介质层的第二侧和所述多晶硅栅的第二侧都延伸到所述漂移区的表面上；

源区形成于所述体区表面且所述源区的第二侧和所述多晶硅栅的第一侧自对准；

漏区形成于所述漂移区的选定区域中且所述漏区的第一侧和所述多晶硅栅的第二侧相隔有间距；

共用介质层，所述共用介质层覆盖所述多晶硅栅的第二侧和所述漏区之间的所述漂移区表面且所述共用介质层会延伸到所述多晶硅栅的表面上，所述共用介质层还覆盖部分所述漏区的表面；未被所述共用介质层所覆盖的所述多晶硅栅、所述源区和所述漏区的表面形成有自对准金属硅化物且所述共用介质层作为所述自对准金属硅化物的生长阻挡层；

在所述多晶硅栅的第二侧和所述漏区之间的所述共用介质层的表面形成有漏端场板；所述漏端场板底部的所述共用介质层作为场板介质层。

2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在所述第一外延层的底部形成有第一导电类型重掺杂的第一埋层；所述第一埋层形成于半导体衬底表面。

3.如权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底，所述第一外延层为硅外延层；

所述栅介质层为氧化硅；

所述共用介质层的材料为氧化硅。

4.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在所述体区的表面还形成有第二导电类型重掺杂的体引出区，所述体引出区和所述源区的第一侧的侧面相接触，所述源区表面的自对准金属硅化物也延伸到所述体引出区的表面。

5.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括：

接触孔刻蚀停止层，层间膜，接触孔，正面金属层；

各所述接触孔穿过对应的所述层间膜和所述接触孔刻蚀停止层并和底部的所述自对准金属硅化物接触；

所述源区、所述漏区、所述多晶硅栅和所述漏端场板的顶部都形成有对应的接触孔，所述源区通过顶部的接触孔连接到由所述正面金属层组成的源极，所述漏区通过顶部的接触孔连接到由所述正面金属层组成的漏极，所述多晶硅栅通过顶部的接触孔连接到由所述正面金属层组成的栅极，所述漏端场板也通过顶部的接触孔连接到由所述正面金属层组成的栅极。

6.如权利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于：所述接触孔刻蚀停止层由氧化层和氮化层叠加而成；

所述层间膜由氧化层组成。

7.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在所述多晶硅栅的侧面还形成有侧墙。

8.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述漏端场板包括第二多晶硅层或对所述第二多晶硅层进行表面进行自对准金属硅化形成的自对准金属硅化物；当所述第二多晶硅层的厚度减小到小于时，所述第二多晶硅层会全部转化为自对准金属硅化物，此时所述漏端场板完全由自对准金属硅化物组成；

当所述第二多晶硅层未被完全转换为自对准金属硅化物时，所述漏端场板由剩余厚度的所述第二多晶硅层和表面自对准金属硅化物叠加而成。