[发明专利]一种宽光谱CdTe/Si化合物异质结太阳电池有效
| 申请号： | 201811144601.4 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109473503B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 曾广根;冯良桓;武莉莉 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L31/074 | 分类号： | H01L31/074 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光谱 cdte si 化合物 异质结 太阳电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种宽光谱CdTe/Si化合物异质结太阳电池，其特征在于，包括以下结构：衬底为单晶硅片，所述单晶硅片的一面沉积有CdTe薄膜和透明导电氧化物薄膜，另外一面沉积背接触层和金属电极；
所述背接触层是能隙宽度大于2.0eV的p-型Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜；所述p-型Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜的材料包括p-ZnTe或者p-ZnSe；
单晶硅片的厚度为50微米～300微米，导电类型为p-型，电阻率在0.5Ω·cm至50Ω·cm之间；
单晶硅片的一面所沉积的CdTe薄膜，厚度为0.1微米～10微米，导电类型为n-型或p-型；
在Si和CdTe层之间，以及在Si和所述背接触层之间，引入插入层，插入层的材料包括Al2O3、SnO2、SiTe2、CdSiTe3、CdSe、SiSe2、ZnSiTe3或ZnSiSe3，以优化器件结构。
2.根据权利要求1所述的一种宽光谱CdTe/Si化合物异质结太阳电池，其特征在于，所述p-型Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜是以Cu作为掺杂剂，厚度为3纳米～100纳米，费米能为0.01eV～0.2eV的p-ZnTe薄膜或者p-ZnSe薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种宽光谱CdTe/Si化合物异质结太阳电池，其特征在于，金属电极的材料为纯金属或者合金金属薄膜或者多层金属复合薄膜，所述纯金属包括金、银、铝或镍。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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